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国家知识产权局信息显示，斯莫特克有限公司申请一项名为“具有分开的顶部电极层的垂直纳米结构能量存储器件及制造方法”的专利，公开号CN122641908A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，能量存储器件（11），包括：第一底部电极层部分（35）和与第一底部电极层部分（35）导电地分离的第二底部电极层部分（37）；第一底部电极层部分（35）上的第一多个导电垂直纳米结构（39）；第二底部电极层部分（37）上的第二多个导电垂直纳米结构（39）；共形地覆盖每个纳米结构（39）的导电控制层（41）；与第一底部电极（33）导电地分离并且直接布置在第二底部电极层部分的一部分上的第一顶部电极层部分（45）；以及与第二底部电极层部分（37）导电地分离并且直接布置在第一底部电极层部分（35）的一部分上的第二顶部电极层部分（47）。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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