北京
国家知识产权局信息显示，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司申请一项名为“一种外延生长温度的确定方法”的专利，公开号CN122638009A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明提供一种外延生长温度的确定方法，涉及半导体制造技术领域。该方法包括：在第一外延系统中，获取第1数据集；在第二外延系统中，获取对应的第2数据集；建立第2数据集与第1数据集之间的温度差值对应关系；计算获得全部修正项的取值，建立修正项与温度差值之间的函数关系式；在第一外延系统中生长其他外延结构时，获取对应的温度差值，利用函数关系式计算修正项，进而计算获得在第二外延系统中对应的温度差值。本申请通过获取数据集并建立两个外延系统之间的对应关系，在第一外延系统中获得外延结构的优化生长温度条件后，可以直接计算获得该结构在第二外延系统中对应的优化生长温度，大幅减少了温度优化所需时间，降低了生产成本。
天眼查资料显示，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6350.7246万人民币。通过天眼查大数据分析，新磊半导体科技（苏州）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目17次，专利信息78条，此外企业还拥有行政许可32个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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