北京
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“半导体器件及制造半导体器件的方法”的专利，公开号CN122622257A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体器件及其制造方法。一种半导体器件，包括：沿第一方向延伸的行线；沿与第一方向相交的第二方向延伸的列线；位于行线与列线之间并包括可变电阻层的存储单元；以及第一间隙填充绝缘层，其包括位于在第二方向上相邻的一对行线之间的第一部分和位于在第二方向上相邻的一对存储单元之间的第二部分。第一部分具有第一氮浓度，第二部分具有高于第一氮浓度的第二氮浓度。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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