北京
国家知识产权局信息显示，重庆芯联微电子有限公司申请一项名为“一种改善刻蚀均匀性的方法”的专利，公开号CN122602789A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开一种改善刻蚀均匀性的方法，S1：以存在刻蚀偏心情况时的相位角作为基准相位角，获得基准相位角的刻蚀速率分布图；S2：以预设步长在预设扫描范围内设定多个不同射频相位角刻蚀晶圆，获得各射频相位角的刻蚀速率分布图；S3：以基准相位角对应的刻蚀速率分布图为基准，将其余射频相位角的刻蚀速率分布图分别与基准分布图进行差值运算，得到各射频相位角的差值速率分布图；S4：分别计算每个差值速率分布图的极差；S5：选择极差数值大于判定阈值的对应射频相位角作为候选射频相位角；S6：对各候选射频相位角进行刻蚀测试，得到对应关键尺寸分布图，确定最优射频相位角。有效改善刻蚀偏心的问题，提升晶圆刻蚀均匀性与产品良率。
天眼查资料显示，重庆芯联微电子有限公司，成立于2023年，位于重庆市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本870000万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆芯联微电子有限公司参与招投标项目990次，专利信息390条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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