他造出世界首例薄膜铌酸锂光芯片，打破美日90%垄断，高瓴、云锋刚刚追投数亿

缪舢/文

‖一家成立仅四年的南京公司，正试图改写全球AI光互联的底层规则‖

2026年8月5日，江苏铌奥光电宣布完成数亿元B轮融资。高瓴创投、云锋基金、联想创投集体入局，老股东悉数跟投。

但比起这份长长的投资名单，更值得关注的是这家公司背后那个人——蔡鑫伦，以及他花了整整五年时间，从“试错”里硬生生趟出的一条薄膜铌酸锂国产化之路。

一条被卡了三十年的赛道

在光通信世界里，铌酸锂调制器一直是不可替代的存在。它负责把电信号转换成光信号，是光模块最核心的器件之一。但过去三十年，这个市场超过90%的份额攥在美国Lumentum和日本富士通手里。国内连晶体生长和薄膜制备都几乎全靠进口。

更麻烦的是，传统铌酸锂体积大、难以集成，随着速率从800G向1.6T跃迁，硅光方案撞上带宽天花板，磷化铟又贵又耗电。谁能在铌酸锂上做出薄膜化、芯片化的突破，谁就等于捏住了下一代算力的咽喉。

蔡鑫伦要做的，正是这件事。

“试错年”：从2014到2019

蔡鑫伦本硕毕业于华中科大，2012年在英国布里斯托尔大学拿到电子工程博士，回国后进入中山大学做教授、博导。2014年，他带着团队开始攻关硅与薄膜铌酸锂的光子集成。

那段日子被他称为“试错年”。实验室里做出来的世界首例，离产线上稳定交付，隔着一条鸿沟。离子注入、低温键合、超薄研磨——每一步都依赖海外设备，每一个工艺参数都要从头摸索。团队撞过无数次南墙，论文发了一篇又一篇，但产品化始终遥不可及。

直到2019年，他承担科技部重点研发计划，成功做出带宽超过70GHz的硅与薄膜铌酸锂混合集成调制器。这把“金钥匙”握在手里，团队才真正摸到了从论文走向产品的门道。

但公司，还远没有影。

全链条的赌注

2020年7月，蔡鑫伦拉上几位光电子科学家和产业老将，在南京鼓楼创办了铌奥光电。他押的不是一款产品，而是一条链。

薄膜铌酸锂光芯片最难的卡点在上游——要把300到900纳米的铌酸锂薄膜原子级贴合到硅衬底上，设备工艺长期被海外把持。谁先打通材料与设备的自主，谁才有资格谈量产。

铌奥光电的筹码，是学术制高点。团队做出了世界首例铌酸锂薄膜IQ调制器、世界首例偏振复用相干光调制器，成果登上《Optica》，两度入选“中国光学十大进展”。这些从0到1的突破，让一家初创公司有了和海外巨头同台竞技的底气。

到2025年，公司已搭建起涵盖设计、晶圆制造、封装测试的全流程自研平台。带宽超过110GHz、驱动电压低于1V、尺寸压到平方毫米级的调制器，开始从实验室走向产线。

1.6T时代，市场突然爆发

AI的催化让赛道骤然变宽。原来硅光、磷化铟、传统铌酸锂三套方案在800G时代还能应付，跨进1.6T就集体触顶。薄膜铌酸锂单通道调制速率可超240Gbaud，支持100GHz以上带宽，成为唯一能支撑1.6T、3.2T光模块的核心路线。

据测算，2026年随着1.6T光模块批量落地，全年薄膜铌酸锂调制器需求冲到50到60万颗，市场规模同比暴增超300%。全球薄膜铌酸锂调制器市场预计从2025年的0.8亿美元长到2034年的6.2亿美元，年复合增速28.5%。

蛋糕突然变大，资本和玩家才真正涌了进来。

交付、量产、与时间赛跑

铌奥光电的产品矩阵已经铺开：800G/1.6T/3.2T的IMDD光芯片瞄准AI集群短距互联，800G/1.6T ZR相干光芯片针对长距骨干网，还有67GHz、110GHz超高带宽强度调制器。近期，公司又推出半波电压压到0.5V以下、带宽15GHz的新品，以及128G Baud相干光芯片。

多家全球头部客户已进入规模交付阶段。2026年4月完成近亿元A+轮融资，8月B轮数亿元落定——两轮融资接力，说明资本认的不是一篇论文，而是一条能跑通量产的链。

远未终局

但棋局才刚刚开始。海外巨头并未停步——美国HyperLight正与联电、Jabil合作推进8英寸量产，深度绑定英伟达；富士通、住友也在向薄膜铌酸锂延伸。国内光库科技量产进度领先，铌奥光电是近期才跟进的新势力，压力不小。

国产替代要闯的难关还很多：离子注入机、Smart Cut剥离、低温键合机仍被国外卡着；8英寸晶圆的量产一致性是成本命门。上游薄膜铌酸锂晶圆到2032年市场规模预计达17.94亿美元，九年扩张十倍，这条材料的仗只会更激烈。

更远的仗在CPO（共封装光学）——英伟达、谷歌、Meta正力推，谁绑进这条架构，谁就拿到下一代AI算力的船票。

蔡鑫伦身兼中山大学教授与铌奥光电董事长，学术与产业双线作战。南京给了他落地的土壤，而国产替代，才刚刚起跑。

这一次，不再是论文里的世界首例，而是产线上真实交付的中国芯。