北京
国家知识产权局信息显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司;华虹半导体（无锡）有限公司申请一项名为“半导体器件的形成方法”的专利，公开号CN122602842A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体技术领域，提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供SOI晶圆；在顶层硅的顶面和底层硅的底面同时形成非掺杂栅多晶硅层，以露出底层硅的底面；去除底层硅底面的非掺杂栅多晶硅层；通入氧气对底层硅进行氧化工艺，以释放底层硅的应力，提高底层硅底面的粗糙度和平面度；使用静电吸盘吸附底层硅的底面，以进行半导体器件的剩余工艺。本发明提高了静电吸盘对底层硅底面的吸附力。
天眼查资料显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本2046092.7759万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华虹宏力半导体制造有限公司共对外投资了8家企业，参与招投标项目931次，财产线索方面有商标信息39条，专利信息7896条，此外企业还拥有行政许可464个。
华虹半导体（无锡）有限公司，成立于2017年，位于无锡市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本253685.180069万美元。通过天眼查大数据分析，华虹半导体（无锡）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2950次，专利信息2098条，此外企业还拥有行政许可119个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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