广东
载流子迁移率作为评价半导体光电性能的核心参数，从钙钛矿太阳能电池的效率优化到有机发光二极管的响应速度提升，每一项前沿光电研究的突破都绕不开对这个参数的精准表征，不少刚接触相关领域的研究者入门时最先遇到的困惑，就是载流子迁移率怎么测才能得到更贴近材料真实属性的结果。
FlyTOF是飞行时间法迁移率测量仪，核心功能是利用飞行时间法（TOF）瞬态光电流获得载流子渡越时间，并计算电子迁移率或空穴迁移率。理解FlyTOF时，重点关注TOF迁移率、渡越时间、色散输运、Lateral-TOF和迁移率-寿命积μτ。不同方法对应不同样品结构、载流子状态和物理模型。TOF测量光生载流子在电场下的漂移渡越，霍尔法依赖磁场横向响应，SCLC依赖注入与空间电荷模型。
核心功能
1.利用飞行时间法（TOF）测量载流子迁移率。
2.由TOF瞬态光电流提取渡越时间，并计算电子迁移率或空穴迁移率。
FlyTOF飞行时间法迁移率测量仪
载流子迁移率到底是什么？搞光电方向的人要是没把这个参数摸透，真的会在研究和器件设计里走不少弯路。 在光电材料与器件的研究领域里，有一个专业术语的出现频率高到几乎所有相关论文、实验报告里都能见到它的身影，但不少从业者对它的理解却仅仅停留在字面定义层面，这个参数就是载流子迁移率。
通俗来讲，迁移率就是用来衡量半导体材料内部载流子（包括带负电的电子和带正电的空穴）运动快慢的核心物理量。它的标准物理定义是：单位电场强度下，载流子做定向漂移运动的平均速度。这个数值看起来只是一个简单的物理参数，实际上却直接决定了半导体材料的导电能力强弱、光电器件的响应速度快慢，乃至最终的光电转换效率高低。毫不夸张地说，载流子迁移率是评价一款半导体材料性能是否优异的最核心参考指标之一。
随之而来的问题是，迁移率要怎么准确测量呢？目前行业内常用的测试方法有不少，比如霍尔效应法、场效应晶体管法、空间电荷限制电流（SCLC）法等等。不过这些方法大多需要通过相关参数进行间接推算才能得到迁移率数值，测量结果和材料的真实迁移率之间往往存在一定偏差。 而飞行时间法（TOF）和上述方法都不同，它是完全基于迁移率的物理定义衍生出来的直接测量方法，行业内普遍认为它是所有测试手段里最接近材料真实迁移率的一种。这也是为什么当下做钙钛矿、有机半导体、二维材料等前沿光电材料研究的团队，几乎都会配备飞行时间法迁移率测量仪的核心原因。
对于光电领域的研究者而言，搞清楚载流子迁移率怎么测是开展材料性能研究的第一步，而TOF飞行时间法测量原理从根源上规避了间接测量的偏差问题，为高可信度的迁移率表征提供了理论支撑，也正是因为这套方法的普适性和精准度得到了行业广泛认可，飞行时间法TOF迁移率测量仪FlyTOF才会成为众多前沿实验室的标配设备，助力光电材料研究不断实现新的突破。
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