北京
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国家知识产权局信息显示，上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“一种半导体器件的制作方法”的专利，公开号CN122579692A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制作方法，形成第一导电类型器件区阱区和第二导电类型器件区阱区之前先形成硬掩膜层，在形成第一导电类型器件区阱区和第二导电类型器件区阱区的步骤中形成硬掩膜层开口，然后以硬掩膜层为阻挡层对中压器件区进行刻蚀，省去中压器件区栅介质层回刻的掩模版，减少掩模版层数，降低成本。
天眼查资料显示，上海华力集成电路制造有限公司，成立于2016年，位于上海市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析，上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2102次，专利信息2882条，此外企业还拥有行政许可550个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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