北京
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国家知识产权局信息显示，成都天一晶能半导体有限公司申请一项名为“一种液相法生长碳化硅单晶的多元助溶剂体系及方法”的专利，公开号CN122564759A，申请日期为2026年7月。
专利摘要显示，本发明属于晶体生长技术领域，尤其涉及一种液相法生长碳化硅单晶的多元助溶剂体系及方法。该体系由Si、Cr、Al、M1、M2和M3组成，M1选自La、Ce、Pr、Nd，M2选自Ge、Sn，M3包括第一功能组（Fe、Co、Ni、Sc、Y）和/或第二功能组（Ti、V、Mn、Cu、Zn、Zr）。通过各组分协同作用，调控碳溶解传质、熔体物性及固液界面稳定性，改善晶体表面形貌，提高晶体质量和有效可利用面积。
天眼查资料显示，成都天一晶能半导体有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事零售业为主的企业。企业注册资本676.3937万人民币。通过天眼查大数据分析，成都天一晶能半导体有限公司参与招投标项目1次，财产线索方面有商标信息15条，专利信息26条，此外企业还拥有行政许可1个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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