北京
国家知识产权局信息显示，晶域芯创半导体设备（佛山）有限公司申请一项名为“一种使用钼台升降阵列调控有效抑制单晶金刚石边缘多晶生长的方法”的专利，公开号CN122564750A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明涉及一种使用钼台升降阵列调控有效抑制单晶金刚石边缘多晶生长的方法，属于MPCVD单晶金刚石生长技术领域。本发明基于由钼制支撑台、独立升降驱动组件及控制单元构成的钼台升降阵列，依次通过金刚石籽晶表面处理、钼台升降阵列初始调节使升起高度与籽晶高度保持一致，以及在生长过程中根据基台温度数据实时动态调控各支撑台高度，始终维持高度一致并使温度场均匀。本发明从空间几何匹配与热场主动调节角度系统性抑制籽晶边缘多晶成核与蔓延，显著提升单晶金刚石的纯度和表面平整度，延长连续生长时间，实现高质量单晶金刚石的长时间稳定制备，适用于工业化批量生产。
天眼查资料显示，晶域芯创半导体设备（佛山）有限公司，成立于2026年，位于佛山市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，晶域芯创半导体设备（佛山）有限公司专利信息2条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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