国内碳化硅竞争，谁先跑通8英寸良率、成本、认证、12英寸？

全球碳化硅规划年产能已经突破300万片，但实际年需求只有约200万片，产能达到需求的1.5倍。

低端6英寸衬底三年内价格暴跌64.5%，大量企业面临生产即亏损的局面。

然而在8英寸高品质车规级与AI数据中心领域，供需缺口却极为巨大。

安森美在AI数据中心业务收入增速接近200%，天岳先进8英寸衬底全球市占率超过50%。

这场产业竞争已经从单纯扩张产能，全面转变成8英寸良率、成本控制、全电压段认证和12英寸技术储备的综合较量。

从2023年到2025年，国内碳化硅行业经历了激烈的价格竞争与产能扩张。

根据公开统计数据，全球碳化硅规划总产能已经超过每年300万片，而全球市场的实际需求只有约200万片，整体产能达到了实际需求的1.5倍。

其中，低端6英寸衬底产能严重供给过剩，产品市场价格在三年时间内大幅下跌了64.5%。

这种价格下跌直接反映在企业的财务数据上。

以天科合达为例，其6英寸碳化硅衬底的平均售价从2023年的每片4780元，快速下跌至2025年的每片1696元。

受价格暴跌影响，天科合达2025年的综合毛利率下滑至负的20.06%，呈现出单片生产即亏损的经营状况。

虽然天科合达的8英寸衬底已经通过英飞凌的验证并获得了长期量产订单，但其市场份额依然低于15%，与行业头部企业存在显著差距。

与低端6英寸市场的大幅亏损不同，高端碳化硅市场呈现出截然不同的供需态势。

国际半导体巨头安森美在AI数据中心碳化硅业务上的收入同比增速接近200%。

由于AI电源等高毛利细分需求爆发，客户已经提前锁定安森美2027年至2028年的供货权，其产能利用率持续保持在高位，甚至临时将部分汽车产能调配至AI数据中心生产线。

这表明，碳化硅市场并非缺乏整体需求，而是高端高品质产能出现了严重的结构性短缺。

碳化硅产业的竞争焦点，已经从早期拼产能建设速度，全面转移到8英寸产能卡位、良率与成本控制、全电压段认证以及12英寸前沿布局这四个核心维度。

只有能够率先在这四个维度取得突破的企业，才能在2026年至2028年的产业上行周期中获取结构性定价能力。

在良率与成本控制方面，目前国内头部企业的8英寸衬底量产良率分布在60%至75%的区间，而国际领先厂商的量产良率已经达到85%以上。

15个百分点的良率差距直接拉开了巨大的成本与利润差距。

以天岳先进为例，在行业整体面临价格压力的环境下，其同期碳化硅衬底主营业务毛利率依然维持在17.10%，与亏损企业的毛利率相差达到37个百分点以上。

降低刚性折旧成本的关键在于长晶设备自研。

天岳先进自研的长晶炉已经实现了大规模量产应用。

天成半导体研制的兼容型8至12英寸PVT长晶炉，温度控制精度达到了正负1摄氏度，长晶良率达到85%以上，设备换产时间缩短了70%。

同光半导体董事长郑清超在接受媒体采访时公开表示：“碳化硅技术突破没有捷径，大尺寸单晶每提升一英寸技术难度翻番，只能‘一炉一炉烧’完成工艺试错积累，不存在弯道超车。”

同光半导体在从4英寸发展到12英寸的过程中，曾经历过连续七炉晶体全部报废的情况，最终依靠持续高强度的研发投入，建立了同时具备8英寸、10英寸和12英寸量产能力的技术体系。

在产品认证与产业生态构建方面，衬底产品必须通过严苛的车规级认证才能进入国际核心供应链。

天岳先进的产品已经批量供应给英飞凌、博世等国际功率器件企业，并获得了IATF16949车规体系认证。

天成半导体的长晶设备也获得了IATF16949认证和欧盟CE认证。

在技术源头与产学研协作上，怀柔实验室在碳化硅功率器件设计、封装、测试全链条布局了61件发明专利，并以5000万元评估作价入股企业推进产业化落地。

绍兴集成电路产业集群在2025年实现平台产值突破1000亿元，当地科技部门通过产学研联动攻克量产良率问题。

三安光电总经理林志东在接受采访时强调，公司通过吸纳国际厂商工程师、内部培养资深技术员以及校企合作定向输送应届毕业生，搭建了全栈人才体系。

三安光电在碳化硅板块的固定资产投入已占公司化合物半导体总投入的三分之一以上，实现了衬底、外延、芯片的全链条覆盖。

在制造端与产品电压段布局上，芯联集成的推进节奏迅速。

根据公开信息，2026年6月芯联集成6英寸碳化硅月产能为9000片，8英寸月产能达到7000片，并制定了扩产至每月1.5万片的计划。

芯联集成的第四代碳化硅芯片已经在2026年第二季度实现量产，完成了650V至3300V全电压段产品布局，其中3300V高压产品已经向核心客户送样测试。

在8英寸产能卡位竞争中，头部企业已经占据了明确的市场位置。

天岳先进的8英寸碳化硅衬底全球市场占有率超过50%，在芯联集成8英寸衬底供应中的份额达到80%至90%。

国际巨头英飞凌在2026年的8英寸订单量同比实现翻倍增长。

东吴证券在2026年8月发布的研报中明确指出，8英寸衬底是天岳先进2026年业绩修复的核心变量。

财务数据显示，天岳先进在2026年第一季度的毛利率已经修复至接近20%，其中8英寸产品的收入占比提升至约45%，经营拐点已经显现。

大尺寸技术的超前布局正在重塑未来的竞争规则。

天岳先进成为全球首家实现12英寸高质量碳化硅衬底量产交付的企业，目前其12英寸产品正在与下游芯片生产线联合开展性能验证与产业化落地。

天成半导体在2026年率先发布了14英寸碳化硅单晶产品，实现了从长晶设备、粉料制备、热场耗材到晶体加工的全流程自主可控。

同光半导体也已经实现了12英寸衬底的小规模量产。

晶圆尺寸越大，芯片单片产出效率越高，单位生产成本越低。

在12英寸和14英寸技术上的突破，是破解碳化硅规模化应用成本瓶颈的关键。

2023年至2025年拼产能扩张与低价竞争的粗放阶段已经结束，2026年随着AI数据中心需求爆发以及国际厂商优先保障海外核心客户。

国内碳化硅市场出现了结构性紧平衡，产业开始从价格战转向兼具数量与价格提升的上行周期。

虽然天岳先进、芯联集成、天成半导体和同光半导体在衬底、制造、设备和前沿尺寸上各自占据了战略位置。

但安森美和英飞凌等国际企业依然凭借数十年的车规级客户资源以及AI数据中心的高毛利产品占据着较高的市场份额。

这场围绕8英寸良率、全电压段认证与12英寸验证的终极竞争才刚刚进入深水区。

究竟哪一家中国本土企业能够率先全面打通四大核心维度，并彻底将国际巨头挤出顶级供应链？答案悬而未决。