北京
国家知识产权局信息显示，成都锐成芯微科技股份有限公司申请一项名为“系统级闪存芯片及其制备方法”的专利，公开号CN122579617A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及一种系统级闪存芯片及其制备方法，包含：闪存区和外围逻辑区，闪存区包含至少一个存储单元，外围逻辑区包含至少一个高压逻辑晶体管；存储单元包含：一个选择栅极、一个叠置栅极、位于两个栅极中间的衬底中的一个轻掺杂离子区、和分别位于两个栅极外侧的衬底中的两个重掺杂离子区；所述两个栅极的内侧的侧表面上共用一个隔离壁；高压逻辑晶体管包含：逻辑栅极、及其两侧的衬底中的两个轻掺杂离子区、和分别位于两个轻掺杂离子区内的两个重掺杂离子区；存储单元中的轻掺杂离子区、和重掺杂离子区，分别与高压逻辑晶体管中的轻掺杂离子区、和重掺杂离子区，完全相同。该闪存芯片的尺寸小，兼容性、和性能的一致性与稳定可靠性都有改善。
天眼查资料显示，成都锐成芯微科技股份有限公司，成立于2011年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5609.2881万人民币。通过天眼查大数据分析，成都锐成芯微科技股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目50次，财产线索方面有商标信息30条，专利信息239条，此外企业还拥有行政许可7个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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