北京
分享至
国家知识产权局信息显示，德州仪器公司申请一项名为“具有场释放层的半导体装置及其集成制造方法”的专利，公开号CN122579660A，申请日期为2026年1月。
专利摘要显示，本公开描述了具有场释放层的半导体装置及其集成制造方法。例如，一种制造半导体装置(100)的方法包含在半导体层(108)的第一表面(107)上形成第一场释放层(122)，其中所述第一场释放层(122)是由第一氧化物层(218)形成的阶梯状氧化物场释放层，并且所述第一氧化物层(218)经由硅局部氧化LOCOS工艺形成。所述方法还包含形成第一漏极区(144)、第一源极区(142)和第一栅极堆叠(133、134)，其中所述第一漏极区(144)靠近所述第一场释放层(122)的第一末端，所述第一源极区(142)靠近所述第一场释放层(122)的第二末端，并且所述第一栅极堆叠(133、134)位于所述第一漏极区(144)与所述第一源极区(142)之间且部分地位于所述第一场释放层(122)上方。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
