江苏
据投融湾获悉，近日，杭州爱仕特半导体有限责任公司（下文简称：爱仕特）成功完成数亿元B轮股权融资并实现交割。本轮融资由中显芯科集团领投，杭州钱塘和达产业基金跟投。
爱仕特创立于2017年12月，公司总部位于浙江省杭州市钱塘区。爱仕特是国家级高新技术企业、国家级专精特新小巨人企业。爱仕特是国内少数具备碳化硅芯片自主设计、车规级功率模块研发制造、系统方案输出完整能力的第三代半导体企业。企业核心定位是国产碳化硅功率器件全栈供应商，面向新能源汽车、光伏储能、超充、AI服务器电源、工业大功率装备等领域，提供自主可控的SiC MOSFET芯片、SiC二极管、各类功率模块以及配套应用解决方案，打破海外厂商在高端碳化硅功率器件市场的垄断局面，实现车规级碳化硅器件的国产替代。
创始人陈宇
爱仕特的创始人是陈宇，拥有功率半导体创业企业完整的产品定义、技术管理、商业化落地复合经验。2017年，创立爱仕特，全程主导公司战略规划、产品路线定义、资本运作、经营管理工作，统筹芯片研发、车规产线建设、客户市场拓展全流程。
杭州钱塘总部主要承担战略运营、研发迭代、市场对接
目前，杭州钱塘总部主要承担战略运营、研发迭代、市场对接，芯片流片依靠外部晶圆厂，模块制造现阶段主要落地深圳坪山基地，杭州智能制造基地尚在建设推进阶段。第四代SiC MOSFET分立器件系列是企业主力量产芯片产品，覆盖650V、1200V、1700V至3300V宽电压区间，包含 64款SiC-MOSFET、8款SiC二极管。
车规级SiC功率模块的核心代表产品为ASR2N1200MHPD-X miniHPD三相全桥车规模块，耐压1200V，采用氮化硅AMB陶瓷基板，寄生电感控制在10nH以内，最高工作结温175℃。碳化硅系统参考方案与驱动配套组件针对碳化硅器件开关特性，开发配套驱动板卡、参考设计，面向新能源汽车电控、储能PCS、超充设备、AI服务器电源提供整套应用参考方案。
核心技术覆盖芯片元胞设计、封装结构、封装工艺、测试设备、系统应用等多个维度
爱仕特的核心技术覆盖芯片元胞设计、封装结构、封装工艺、测试设备、系统应用等多个维度，其中，第四代SiC MOSFET芯片设计技术是企业核心底层芯片技术，自主设计SiC MOS元胞结构，优化器件电场分布。车规级SiC功率模块先进封装技术采用AMB氮化硅陶瓷基板封装工艺，优化模块内部布局，解决传统模块体积大、寄生参数高、散热能力不足的痛点。
碳化硅器件可靠性加固技术针对碳化硅器件固有的栅氧可靠性、体二极管退化等行业共性难题，从芯片元胞设计、器件工艺、模块封装多维度进行加固优化，完成大量可靠性验证。芯片-封装-电力电子系统协同仿真优化技术指的是，企业将芯片器件仿真、封装热仿真、整机系统仿真联合迭代，在芯片设计阶段就考虑封装寄生参数与整机工况，实现芯片、模块、系统的联合优化。碳化硅器件应用与驱动适配技术指的是，积累大量应用数据库，形成配套驱动参考方案，帮助下游解决碳化硅器件实际落地过程中的工程难题。
市场处于高速增长阶段
全球第三代半导体碳化硅市场处在高速增长阶段，新能源汽车是碳化硅器件最大下游市场，800V高压平台车型渗透率持续提升，单车碳化硅器件价值量显著提高。另外，光伏储能、直流超充、工商业电源、AI算力服务器电源带来巨大增量市场。
作为国内碳化硅功率半导体赛道第一梯队的Fabless企业，爱仕特具备从SiC芯片自主设计、车规功率模块制造到系统方案输出的全链条能力，未来有望成为行业龙头企业。
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