北京
国家知识产权局信息显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司取得一项名为“等离子体刻蚀设备”的专利，授权公告号CN224625541U，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本实用新型提供一种等离子体刻蚀设备，包括：反应腔，所述反应腔的侧壁上设有传片口；气体喷淋头，用于向所述反应腔内输送工艺气体；基座，位于所述反应腔内，与所述气体喷淋头相对设置，用于承载基片；等离子体约束环，包括排气部和延伸部，所述排气部环绕设置于所述基座的外围与所述反应腔的侧壁之间，所述延伸部沿所述排气部远离所述基座的一端向上延伸，并与所述反应腔的顶壁电连接，所述延伸部设有与所述传片口相对的开口，以供所述基片进出；移动门，用于封闭或打开所述开口。本实用新型用于解决现有技术中聚合物在移动环表面沉积并脱落，影响刻蚀的均匀性和一致性的问题。
天眼查资料显示，中微半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2004年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本95784.2348万人民币。通过天眼查大数据分析，中微半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了31家企业，参与招投标项目91次，财产线索方面有商标信息86条，专利信息1740条，此外企业还拥有行政许可88个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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