北京
国家知识产权局信息显示，中芯集成电路（宁波）有限公司申请一项名为“一种半导体器件及其制备方法”的专利，公开号CN122555218A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本申请提供一种半导体器件及其制备方法，包括：提供衬底，衬底的表面上形成有绝缘层；在绝缘层上依次形成电阻层和导电层；去除部分导电层，以在在导电层中形成露出电阻层的部分表面的开口；在导电层上形成介电层，介电层覆盖开口的底壁和侧壁；在介电层上形成金属保护层，所述金属保护层覆盖开口中的介电层以及开口外侧的部分介电层，位于开口外侧的导电层、位于导电层上的介电层以及位于介电层上的金属保护层在厚度方向上至少部分重叠并共同构成电容器，开口底部的电阻层作为电阻器。本申请通过采用电容器与电阻器的一体化集成结构，将电容器构建于衬底上，缩短了电容器与电阻器之间的距离，解决了寄生电感问题。
天眼查资料显示，中芯集成电路（宁波）有限公司，成立于2016年，位于宁波市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本473304.347718万人民币。通过天眼查大数据分析，中芯集成电路（宁波）有限公司参与招投标项目37次，财产线索方面有商标信息71条，专利信息553条，此外企业还拥有行政许可22个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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