北京
国家知识产权局信息显示，内蒙古兴固科技有限公司申请一项名为“一种低氧含量单晶硅的高效制备方法”的专利，公开号CN122522404A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明公开了半导体材料技术领域的一种低氧含量单晶硅的高效制备方法；采用稀土‑过渡金属共掺杂复合氧化物多孔陶瓷材料作为氧空位控氧材料，将其破碎成薄片装于氮化硼网篮中，配合垫片、氧化锆块及硅料按顺序铺设在石英坩埚内。通过阶梯升温熔化硅料并分阶段切换氩气吹扫流量，预吸氧后获得硅熔体；采用籽晶引晶，籽晶与坩埚反向旋转，结合功率调节维持过冷度进行等径生长；提升晶体后通过分阶段缓慢降温并同步恢复炉压，最终获得低氧含量单晶硅。本发明通过多孔陶瓷控氧与精细温控、气流管理及晶体生长参数的协同调控，有效降低单晶硅中间隙氧含量，兼顾高生产效率与晶体品质。
天眼查资料显示，内蒙古兴固科技有限公司，成立于2020年，位于通辽市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本53862.563529万人民币。通过天眼查大数据分析，内蒙古兴固科技有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目49次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息44条，此外企业还拥有行政许可40个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
