化合物半导体布局提速！中机 GaAs/InP 衬底磨抛耗材，卡位光通信 / 射频蓝海赛道

来源：市场资讯

（来源：第三代半导体产业）

砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）作为第二代化合物半导体核心衬底，具备高频高速、光电转换效率突出等优势，是800G/1.6T高速光模块、5G 射频前端、卫星通信器件的核心基材。伴随AI算力、高速光通信产业爆发，第二代化合物半导体进入需求高速增长期，上游衬底精密 CMP 配套耗材长期由海外厂商主导，国产替代迎来关键窗口期。

一、半导体耗材市场持续扩容，化合物赛道增速领跑

根据《材料市场数据订阅》（Materials Market Data Subscription，MMDS）报告显示：2025 年全球半导体材料市场销售额同比增长 6.8%，达到 732 亿美元，市场规模创下历史新高。

晶圆制造材料、封装材料两大板块同步增长，先进制程迭代、高性能计算、高带宽存储产业持续投入，持续拉动上游材料需求上行。2025 年晶圆制造材料销售额增长 5.4%，达到 458 亿美元；光刻相关材料、湿化学品实现双位数强劲增长，工艺复杂度提升直接推高高端制造材料消耗量。封装材料销售额增长 9.3%，达到 274 亿美元，先进基板需求爆发带动板块上行。

区域维度，中国台湾地区连续第16 年位居全球半导体材料消费首位，中国大陆以 156 亿美元销售额位列全球第二，是全球材料市场增长最强劲的地区之一，国内晶圆制造、化合物半导体产线扩产，带动精密加工耗材市场同步扩容。

其中化合物半导体受益光通信、射频、航天下游需求爆发，配套精密耗材增速显著高于行业平均水平，是高确定性的高景气细分赛道。

1、全球 CMP 耗材大盘稳定增长

2025 年全球 CMP 耗材整体规模约 28 亿美元，年均复合增速 7%；抛光液、抛光垫为两大核心品类，合计占据市场 90% 以上份额。中国成为全球耗材增长核心引擎，2025 年国内 CMP 耗材市场规模突破 70 亿元，年增速超 12%，显著高于全球平均水平。

国内高端CMP耗材国产化率不足 20%（综合国内半导体产业调研数据）；在化合物半导体细分领域国产化率更低，市场供给高度依赖进口，国产替代空间广阔。

（数据来源：《2026 全球 CMP 耗材市场分析报告》）

2、GaAs/InP 两大赛道高景气运行

磷化铟（InP）：2026 年全球磷化铟光器件市场规模预计突破 18 亿美元，20222026 年 CAGR 达 16%。800G/1.6T 光模块大规模商用为核心驱动力，光通信占下游需求 70% 以上。我国是全球光模块制造核心基地，衬底需求增速领跑全球，但专用加工耗材国产化程度仍然较低。

砷化镓（GaAs）：2025 年全球砷化镓晶圆市场规模 12 亿美元，年复合增速超 10%；手机射频前端器件需求占比 55%，卫星通信、航天光伏合计占 25%。国内砷化镓晶圆产线持续扩产，但精密加工耗材高度依赖海外进口，存在交付周期长、采购成本高等痛点，产业国产化需求迫切。

（数据来源：Yole《2026 磷化铟光器件市场报告》、 化合物半导体白皮书）

GaAs、InP 衬底硬度高、脆性大、晶格结构特殊，加工过程中易产生亚表面损伤、晶格畸变；外延工序对衬底粗糙度、平面度达到亚纳米级别要求，配套耗材适配难度远高于传统硅片。当前下游晶圆厂扩产节奏快于耗材国产化落地进度，产线产能爬坡进一步放大耗材供给缺口。该赛道技术壁垒高、入局企业少、客户认证周期长、客户粘性强，属于半导体材料优质蓝海赛道。

Yole权威数据显示：砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）作为第二代化合物半导体核心衬底，具备高频高速、光电转换效率突出等优势，是800G/1.6T高速光模块、5G 射频前端、卫星通信器件的核心基材。伴随AI算力、高速光通信产业爆发，第二代化合物半导体进入需求高速增长期，上游衬底精密 CMP 配套耗材长期由海外厂商主导，国产替代迎来关键窗口期。

中机新材成立于2021 年，依托在 SiC 精密磨抛耗材积累的成熟技术底座，拓展布局多板块化合物半导体领域。公司聚焦化合物半导体、高端消费电子加工配套耗材，核心产品包含抛光液、抛光垫等，可结合客户产线、工艺及应用场景提供定制化开发，精准管控晶圆平整度与粗糙度，满足外延级衬底高端制造要求，服务光通信、射频芯片、光电、航空航天全产业链客户。

第二代化合物半导体产品：砷化镓抛光液H65

适配砷化镓衬底，同时兼容磷化铟衬底的高质量抛光加工，面向导电晶圆高平坦化加工场景，兼顾加工效率与优异表面加工效果。搭配 NPF09 抛光垫使用，抛光后晶片微粗糙度表现优异，目前已在国内多家涵盖第二代半导体业务企业实现批量应用，产品指标对标海外进口同类产品，支撑产线量产，推进国产替代落地。

产品核心优势

1、材料去除速率高，助力提升产线加工效率

2、抛光成品表面质量优异，粗糙度控制表现突出

3、适配多类衬底材料，工艺兼容性好，使用便捷

4、全流程国产自研生产，供货稳定，大批量采购可享优惠

二、定制化耗材完成客户验证，商业化落地持续提速

公司搭建成熟的化学机械协同 CMP 工艺研发体系，针对化合物半导体、高端消费电子不同材料特性完成专属配方迭代，可提供全系列耗材定制开发，实现 “一客一方案”。适配多类型设备与高端制造标准，加工后衬底指标可满足外延生产严苛要求。

现阶段，GaAs配套耗材已导入国内头部半导体晶圆企业，完成工艺验证并实现稳定批量交付；磷化铟 InP 相关耗材持续推进客户验证迭代，拓展头部客户资源。全系产品面向光通信、射频芯片制造场景，覆盖光电、军工航天上下游客户需求。

三、产业核心价值+ 中长期发展规划

第二代化合物半导体是国内半导体产业升级、实现产业链自主突破的关键赛道，上游精密加工耗材的自主可控，关系下游光通信、射频、航天产业供应链安全以及全球成本竞争力。

（1）核心产业价值

补齐供应链短板：打破海外厂商对化合物半导体高端配套耗材的长期垄断，降低国内光电、射频、航天产业进口依赖，提升本土产业链供应链安全水平。

助力产业降本增效：国产耗材实现本地快速交付，技术团队可快速响应，定制化开发灵活高效，缩短晶圆厂采购周期，降低衬底整体加工成本，提升国内产业全球竞争力。

跨赛道技术协同赋能：GaAs/InP 高端耗材研发沉淀的工艺能力，可反哺硅基、宽禁带半导体耗材技术迭代，实现跨品类技术复用，带动国内半导体精密磨抛材料整体技术进步。

（2）分阶段发展布局

短期目标：加快磷化铟、砷化镓全系列配套耗材头部客户验证，扩大批量订单规模，抢占第二代化合物半导体耗材赛道核心市场份额。

中长期目标：深耕化合物半导体精密加工耗材核心技术，迭代抛光液、抛光垫产品综合性能，打造国内一站式化合物衬底磨抛解决方案，匹配产业链高端制造长期发展需求。