北京
国家知识产权局信息显示，聚光科芯（杭州）光电子科技有限公司申请一项名为“基于薄膜铌酸锂微盘腔的片上光脉冲神经网络计算单元”的专利，公开号CN122509258A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明涉及半导体激光器技术领域，具体为基于薄膜铌酸锂微盘腔的片上光脉冲神经网络计算单元，包括：衬底；位于所述衬底上的薄膜铌酸锂TFLN层；形成于所述薄膜铌酸锂TFLN层中的微盘腔阵列，所述微盘腔阵列包含至少两个级联的微盘腔，所述微盘腔阵列呈线性级联排布或二维网格状排布，各微盘腔支持回音壁模式且具有高品质因子，所述高品质因子使腔内光强较输入光强在临界耦合条件下增强约Q/(2π)倍以上。本发明中TFLN的二阶电光效应与三阶Kerr效应在微盘腔内获得Q值增强，可在片上实现等效于ReLU/Sigmoid的非线性映射，解决了硅基光计算缺乏本征非线性的瓶颈。
天眼查资料显示，聚光科芯（杭州）光电子科技有限公司，成立于2024年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本500万人民币。通过天眼查大数据分析，聚光科芯（杭州）光电子科技有限公司共对外投资了3家企业，专利信息20条。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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