全线冲高！涨停潮，存储芯片引爆盘面！全球AI算力部署提速

存储芯片概念股再度异动！

今日（8月5日），A股存储芯片概念股大幅走高，江化微、时空科技、博杰股份、中巨芯等直线拉升涨停，中微公司、兆易创新、江波龙、佰维存储等纷纷冲高。截至午盘，存储芯片板块整体涨幅超过6%，涨停或涨幅超过10%的个股接近30只。

当天，在韩国证券市场上，SK海力士涨超6%，三星电子涨近4%。隔夜，美股存储概念股集体大涨，闪迪涨超10%，美光科技涨超7%，SK海力士ADR涨超8%。

市场分析人士认为，存储芯片板块走强主要受基本面驱动。全球AI算力部署提速，持续拉动DRAM需求，当前供给缺口未见收窄，行业量价齐升势头明确，头部厂商盈利屡超预期。多家研究机构预判，DRAM供不应求格局将至少延续至2027年。

存储芯片概念股拉升

投资者再度押注人工智能（AI）交易。今日，亚太市场存储芯片概念股集体走高，截至12:00，SK海力士涨6.85%，三星电子涨3.96%，铠侠控股涨6.26%。

A股存储芯片股也大幅拉升。截至午盘，通达信存储芯片指数涨幅超过6%，中巨芯、正帆科技20%涨停，江化微、有研新材、时空科技、博杰股份、中京电子、沃格光电、大为股份、康强电子等10%涨停，中微公司、有研硅、金太阳等涨超13%，拓荆科技、恒烁股份、西安奕材、长川科技等涨超10%， 普冉股份、屹唐股份涨超9%，兆易创新、江波龙涨超7%，佰维存储、南亚新材涨近7%，德明利涨超5%。

根据TrendForce集邦咨询最新存储器产业研究，2027年存储器需求仍由AI应用主导，DRAM因HBM持续排挤产能、AI Server需求强劲，CPU所用的存储器与HBM采购动能持续增加，市场维持供给紧张格局，价格走势偏强。

TrendForce集邦咨询指出，2026年DRAM供应与需求位元的差距（sufficiency ratio）落在-1%至-2%之间，2027年由于需求增速超越供给增速，供需缺口将进一步扩大。不过，NAND Flash在新产能集中释放、终端消费需求持续走弱的情况下，2027年下半年供给将趋向宽松，价格可能面临修正压力。

行业龙头公司对存储市场的预测则更加乐观。三星电子近日在业绩电话会上表示，随着AI基础设施资本开支持续增加以及AI智能体的快速普及，服务器DRAM、企业级固态硬盘（eSSD）和高带宽内存（HBM）的需求增速有望进一步加快。

三星电子指出，考虑到从新建晶圆厂到实际晶圆生产的周期超过三年，新增供应量在2028年之前难以出现显著增长。根据当前客户需求，今年的未满足需求将延续至明年，供应短缺局面预计将持续到2028年，2027年的供应限制甚至将比2026年更加严峻。

国泰海通证券认为，受AI数据中心投资高景气带动，DRAM、HBM等存储产品需求持续旺盛，三星电子、SK海力士2026年第二季度业绩均创历史新高。AI存储供需紧张推动存储厂商业绩快速释放，后续扩产和技术升级节奏有望进一步加快，带动半导体设备需求持续上行。

机构：长鑫存储增速迅猛

日前，根据Counterpoint Research发布的《全球内存追踪报告》，三星电子在2026年第二季度重夺DRAM市场头把交椅，市场份额扩大至39%，达到2024年以来的最高水平。SK海力士、美光科技紧随其后，市场份额分别为26%、25%。

值得关注的是，上述报告指出，2026年第二季度，长鑫存储成为全球增长最快的DRAM厂商，营收同比增长716%，主要受益于中国市场传统DRAM需求旺盛及产能持续扩张。Counterpoint Research研究副总裁Neil Shah表示，2026年下半年，如果长鑫存储能够扩大产能，满足国内外市场需求，那么一年后其市场份额将大幅增长。

报告称，DRAM需求持续超过供给，因为一轮又一轮的AI应用浪潮推动了先进计算基础设施的部署。这既提升了用于CPU的传统DRAM需求，同时也加速了GPU中下一代高带宽内存（HBM）的采用。

在评论三星电子的表现时，Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi表示：“三星克服了所有障碍，在业绩上实现了较去年同期的出色反转。公司受益于传统DRAM的强劲需求和价格上涨，同时在HBM领域也在扩大份额。展望未来，随着2026年第三季度预期中的进一步涨价，三星电子的盈利有望继续增长。”

报告指出，2026年第二季度，传统DRAM价格环比大幅上涨，而HBM价格同比则有所下降。HBM平均价格下降尤为明显，原因是现有HBM3E产品价格下跌，以及HBM4的推出延迟。然而，相对较低的HBM价格预计将在明年随传统DRAM价格上涨后大幅回升。

兴业证券最新发布的研报指出，行业供需持续紧张，推动DRAM价格持续上行。DRAM方面，测算2026—2028年，DRAM总需求分别为52EB、69EB、98EB，DRAM总供给分别为50EB、67EB、97EB，2026—2028年DRAM供需缺口分别为-4.38%、-2.98%、-1.48%。在AI需求增长以及供需关系持续紧张的驱动下，存储产品价格的上涨周期有望贯穿2026年全年。

上述券商表示，随着AI训练和推理对算力需求的快速增长，数据中心对HBM、大容量DDR5及企业级SSD的存储需求快速增长，行业景气度持续提升。长鑫存储作为国内DRAM存储龙头公司，深度受益于此次存储超级周期，通过产能加速扩张和产品持续迭代，有望实现份额进一步提升。

责编：战术恒

排版：王璐璐

校对：杨立林

违法和不良信息举报电话：0755-83514034

邮箱：bwb@stcn.com