北京
国家知识产权局信息显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司申请一项名为“一种半导体结构的制备方法”的专利，公开号CN122497352A，申请日期为2025年1月。
专利摘要显示，本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法，方法包括：提供衬底；衬底上形成有晶体管结构及位于晶体管结构上的第一介质层，晶体管结构包括栅极层及位于栅极层两侧的源/漏区；形成覆盖第一介质层的第二介质层，第二介质层至少包括第一子层；形成位于第二介质层上的第一图案，第一图案暴露出的区域在衬底上的正投影覆盖栅极层及源/漏区在所处衬底上的正投影；以第一图案为掩膜执行刻蚀工艺，至少去除被第一图案暴露出来的第二介质层以形成第一沟槽和第二沟槽，第一沟槽的侧壁暴露出第二介质层，第二沟槽暴露出第一介质层。
天眼查资料显示，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司，成立于2021年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本712800万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳市鹏芯微集成电路制造有限公司参与招投标项目21次，财产线索方面有商标信息72条，专利信息191条，此外企业还拥有行政许可225个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
