北京
国家知识产权局信息显示，格恩半导体（安徽）股份有限公司申请一项名为“一种具有渐变电子亲和能波导层的氮化镓基半导体激光器”的专利，公开号CN122495162A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提出一种具有渐变电子亲和能波导层的氮化镓基半导体激光器，渐变电子亲和能上波导层和渐变电子亲和能下波导层的SIMS测试的In离子强度分布或In原子浓度分布的拟合曲线、轻空穴有效质量分布的拟合曲线和电子亲和能分布的拟合函数满足Cubic函数、Rational0函数、Rational1函数、Rational2函数、Rational3函数的任意一种函数分布。本发明能够有效提升激光器性能。
天眼查资料显示，格恩半导体（安徽）股份有限公司，成立于2021年，位于六安市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本8878.0327万人民币。通过天眼查大数据分析，格恩半导体（安徽）股份有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目4次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息544条，此外企业还拥有行政许可13个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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