北京
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国家知识产权局信息显示，无锡纳斯凯半导体科技有限公司申请一项名为“一种使用直流电源制备不同长径比微米级钨针尖的方法”的专利，公开号CN122487701A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明的目的在于公开一种使用直流电源制备不同长径比微米级钨针尖的方法；与现有技术相比，通过利用直流稳压电源在电化学腐蚀中的特性制备类双曲线型的钨针尖；通过调整直流稳压电源的相应电参数，实现不同长径比的针尖制备，获取满足需求的钨针尖；通过该方法制备完成的针尖，针尖的长径比在0.5‑3，针尖的曲率半径小于3μm，有效地解决了小直径材料针尖制备不稳定的情况，实现本发明的目的。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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