北京
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国家知识产权局信息显示，隆基超导（无锡）智能技术有限公司取得一项名为“一种硅单晶生长用鞍形永磁场装置”的专利，授权公告号CN224578402U，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本实用新型公开了一种硅单晶生长用鞍形永磁场装置，包括其属于属于半导体制造技术领域，其包括鞍形单晶永磁体、行走机构、升降机构和支架，其中鞍形单晶永磁体由左右轭板、左右鞍形磁极、左右顶丝和导磁板组成；本实用新型单晶永磁体磁极为鞍形结构，大大提高了圆周范围内磁场强度均匀度，更有利于提高单晶电阻率及杂质的均匀性，升降机构可以整体将磁场上下移动，可作为初步位置调整，在利用左右鞍形磁极内部设计可以微量的上下移动，磁极中心可根据熔硅液面实际高度调整，磁极采用真空灌注工艺，使磁材与空气隔绝，隔热，增加了使用寿命，左右顶丝结构可调整磁极间距，进而使磁场强度可调，提高适用性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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