北京
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国家知识产权局信息显示，西安赛富乐斯半导体科技有限公司申请一项名为“用于台阶式全彩微发光二极管像素的同步层及其制备方法”的专利，公开号CN122497186A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开的用于台阶式全彩微发光二极管像素的同步层及其制备方法，包括覆盖于全彩MicroLED像素结构出光侧的透明电极层，透明电极层上设置有分区像素级等效光程同步层，分区像素级等效光程同步层沿横向划分为多个分别位于不同出光高度子像素正上方的分区，在每一分区内均设置具有预设等效光程参数的光学结构。本发明通过在像素出光侧设置与像素几何高度对应的分区等效光程结构，使不同高度、不同颜色像素的出射光在预设参考平面处形成像素级同步的等效光程，降低台阶式像素结构对全彩显示均匀性的影响，从而实现台阶式全彩MicroLED像素的像素级等效光程被动同步，提升全彩MicroLED显示的出光一致性。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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