北京
国家知识产权局信息显示，苏州恩正科电子有限公司申请一项名为“一种抑制背面磨削损伤的晶圆加工方法”的专利，公开号CN122462979A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种抑制背面磨削损伤的晶圆加工方法，其中，方法包括：从晶圆的正面入射飞秒激光束，通过对焦定位将飞秒激光束聚焦于晶圆背面待去除材料层内部的预设深度，沿平行于晶圆表面的方向扫描材料层，在晶圆内部形成一层与表面平行的改性层；对晶圆背面进行粗磨以去除改性层上方的大部分材料，在改性层上方保留一层残余材料层；对残余材料层进行精磨加工，并同时施加平行于晶圆表面的剪切力，使残余材料层沿改性层整层剥落；去除晶圆背面因改性层剥离后可能残留的改性材料痕迹，获得具有低损伤的晶圆背面。由此，解决了现有技术中亚表面损伤、加工成本高、低损伤与高效率低成本难以兼容等问题。
天眼查资料显示，苏州恩正科电子有限公司，成立于2015年，位于苏州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本510万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州恩正科电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目12次，专利信息12条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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