北京
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国家知识产权局信息显示，周星工程股份有限公司申请一项名为“形成氮化铝薄膜的方法以及形成包括该氮化铝薄膜的薄膜的方法”的专利，公开号CN122477797A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本公开的实施例提供一种在基板上形成氮化铝薄膜的方法，基板被支撑于腔室中的处理空间内，该方法包括如下步骤：（a）将基板暴露于含铝气体；（b）将基板暴露于含氮气体以形成含铝和氮的原子层或单层；以及（c）将基板暴露于含氮等离子体，其中，重复步骤（a）至步骤（c）多次。因此，根据本公开实施例，可以在低温下形成氮化铝单晶薄膜。也就是说，即使在将基板的温度调节至低温时，也可以使氮化铝薄膜结晶。因此，在形成氮化铝单晶薄膜期间，可以抑制或防止高温热量对下膜造成损坏。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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