北京
国家知识产权局信息显示，锦州科络新材料有限公司申请一项名为“一种低硫真空脱气铬的制备方法”的专利，公开号CN122466264A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本发明公开了一种低硫真空脱气铬的制备方法，属于金属铬制备技术领域，包括以下步骤：S1、将改性碳酸锶、钇镧铝铌复合氧化物纳米颗粒与氟化钙加入氧化铬粉和碳粉中，混合压制；S2、将步骤S1所得压坯置于真空烧结炉中按程序性温度烧结；S3、将步骤S2所得烧结体破碎酸洗，过滤干燥；本发明通过改性碳酸锶与钇镧铝铌复合氧化物纳米颗粒协同降低真空碳热还原过程中碳化铬的生成量，相较于精确控碳、真空脱气后处理及氢气后处理等现有方案，本发明在碳含量控制效果方面具有明显优势，产品碳含量稳定控制在200ppm以下，有效维护了产品塑性。
天眼查资料显示，锦州科络新材料有限公司，成立于2017年，位于锦州市，是一家以从事黑色金属冶炼和压延加工业为主的企业。企业注册资本2250万人民币。通过天眼查大数据分析，锦州科络新材料有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目11次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息21条，此外企业还拥有行政许可2个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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