长鑫科技集团申请图案形成方法相关专利，堆叠双抗反射层可提升图案形成精度与质量

来源：新浪证券-红岸工作室

7月29日消息，国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“形成图案的方法”的专利。申请公布号为CN122476888A，申请号为CN202510121901.4，申请公布日期为2026年7月28日，申请日期为2025年1月23日，发明人周雪涵、孙殿明、刘忠明，分类号H10P76/40、H10P50/00、H10P50/24、G03F1/46、G03F1/80、G03F1/76。

专利摘要显示，本公开实施例涉及半导体领域，提供一种形成图案的方法，通过在衬底上依次形成掩膜层和图案转移层，图案转移层包括依次堆叠的第一抗反射层、中间层和第二抗反射层；依次图案化刻蚀第二抗反射层、中间层和第一抗反射层，以形成第一沟槽，第一沟槽暴露部分掩膜层；通过形成依次堆叠的第一抗反射层、中间层和第二抗反射层，能够精确控制刻蚀后的第二抗反射层的形状，保证图案形成质量和图案尺寸的精确度。

长鑫科技是国内领先的DRAM研发制造龙头企业，专注于动态随机存取存储器产品布局，具备全产业链一体化优势。公司成立于2016年6月13日，将于2026年7月27日在上海证券交易所上市，注册及办公地址均位于安徽省合肥市。

长鑫科技是我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM研发设计制造一体化企业，自2016年成立以来始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产及销售，所属申万行业为电子-半导体-数字芯片设计，覆盖次新股、融资融券、半导体三大概念板块。

2025年，长鑫科技实现营业收入617.99亿元，在54家同行业企业中排名第一，大幅领先第二名豪威集团的288.55亿元，远超48.9亿元的行业平均水平与16.67亿元的行业中位数；同期实现净利润71.44亿元，同样位列行业首位，较第二名豪威集团的40.32亿元优势显著，远高于5.35亿元的行业平均数与1.68亿元的行业中位数。公司主营业务中，LPDDR系列营收407.04亿元，占比65.86%；DDR系列营收195.31亿元，占比31.60%；其他产品及服务营收10.41亿元，占比1.68%；其他(补充)营收5.24亿元，占比0.85%。

指标类别 具体指标 数值 行业排名/对比情况 经营业绩 2025年营业收入 617.99亿元 1/54，远超行业均值48.9亿元、中位数16.67亿元，较第二名豪威集团288.55亿元优势显著 经营业绩 2025年净利润 71.44亿元 1/54，远超行业均值5.35亿元、中位数1.68亿元，较第二名豪威集团40.32亿元优势显著 主营业务构成 LPDDR系列营收占比 65.86% 对应营收407.04亿元 主营业务构成 DDR系列营收占比 31.60% 对应营收195.31亿元 主营业务构成 其他产品及服务营收占比 1.68% 对应营收10.41亿元 主营业务构成 其他(补充)营收占比 0.85% 对应营收5.24亿元

长鑫科技集团股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种半导体结构、半导体结构的制作方法及电子设备发明专利公布CN202610882609.92026-06-18CN122421745A2026-07-17刘明源、高王荣、李春晓、邓宗伟、王宝超2半导体结构及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610813358.92026-06-05CN122349219A2026-07-07王贺、李辉辉、刘明源3半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610772665.72026-05-29CN122340813A2026-07-03吴楠、刘明源、黎冠杰、张大卫4半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610746437.22026-05-27CN122269693A2026-06-23吴楠、张大卫、刘明源5半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610728657.22026-05-25CN122269692A2026-06-23初剑、祝康、张卓强、葛瑞、元琳、吴楠、刘明源6半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610693464.82026-05-19CN122248730A2026-06-19李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源7半导体结构及其制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610683414.12026-05-18CN122269706A2026-06-23吴楠、冯道欢、冯唯、刘明源8介电材料介电常数提升方法、片内与半导体电容提升方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610667986.02026-05-14CN122205885A2026-06-12刘明源、李泽伦、杨晨、李辉辉、孟皓9半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610659870.22026-05-13CN122205859A2026-06-12初剑、李晓杰、葛瑞、张卓强、祝康、元琳、吴楠、刘明源10半导体结构及其制作方法、存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202610656833.62026-05-13CN122227879A2026-06-16孙靖莹、崔常松、张桐、万国良、元琳、刘明源11半导体结构的金属层图案的形成方法及金属层图案发明专利实质审查的生效、公布CN202610652448.42026-05-12CN122206182A2026-06-12焦文中、刘明源、许翎靖、常方强、夏大伟12半导体结构及其制备方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610595219.32026-04-30CN122121158A2026-05-29吴雨阳、郭泽安、张军超、刘明源13半导体结构、半导体结构制备方法及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610559824.52026-04-24CN122094154A2026-05-26刘明源、孙政、张明、元琳14半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610549949.X2026-04-23CN122094106A2026-05-26刘明源、杜国安、邓放心、汪恒15电容器及其制造方法、半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610525556.52026-04-20CN122091393A2026-05-26刘明源、李泽伦、李辉辉、杨晨、孟皓16一种半导体结构的制备方法、半导体结构及电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610525311.22026-04-20CN122121156A2026-05-29刘明源、李泽伦、孟皓、杨晨、李辉辉17半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610525569.22026-04-20CN122121157A2026-05-29刘明源、章星、黎冠杰18一种半导体结构的制作方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610501503.X2026-04-16CN122054587A2026-05-15张永胜、万国良、元琳、刘明源19半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610475581.72026-04-10CN122028418A2026-05-12郭泽安、张军超、袁子豪、李辉辉、刘明源20半导体结构、半导体结构的形成方法、存储器及电子设备发明专利授权CN202610427522.22026-04-02CN121969131B2026-07-17刘明源、孙政、张明、元琳21半导体结构及其制造方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610416387.12026-03-31CN121968579A2026-05-01王耐征、孟敬恒、任科、许业陶、李旋、刘明源22一种半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利授权CN202610395899.42026-03-27CN121941050B2026-06-05卢小龙、田恩强、刘明源、元琳、张明、章富23存储器及存储器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377289.12026-03-25CN121908553A2026-04-21李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源24存储器及存储器的制备方法发明专利实质审查的生效、公布CN202610377306.12026-03-25CN121924753A2026-04-24李泽伦、张魁、杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源25一种片选信号校准电路和存储器发明专利授权CN202610368800.12026-03-24CN121905233B2026-06-19李红文、魏斌26半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利实质审查的生效、公布CN202610352208.22026-03-20CN121888603A2026-04-17刘明源、高王荣、鲍锡飞27一种半导体结构的制备方法及半导体结构发明专利实质审查的生效、公布CN202610335492.22026-03-18CN121865615A2026-04-14刘明源、孙政、元琳、刘彪28半导体结构及其形成方法发明专利授权CN202610319848.32026-03-16CN121888602B2026-07-24孙鹏超、王弘、孙政、张明、李思嘉、连磊、刘明源29存储器及其操作方法发明专利授权CN202610202220.52026-02-11CN121687136B2026-06-19李红文、曹忠伟、高恩鹏、孙见鹏30存储器件及其制作方法发明专利授权CN202610189154.22026-02-10CN121692646B2026-05-08刘明源、元琳、孙政、梁涛31存储器件发明专利公布CN202610180070.22026-02-09CN121687137A2026-03-17李红文、尚为兵、徐晗、罗怡菲、杨名32存储器件以及电子设备发明专利授权CN202610185868.62026-02-09CN121687150B2026-05-08李红文、肖磊、孙见鹏33存储器件的测试方法发明专利授权CN202610158024.22026-02-04CN121641157B2026-04-17李红文、张春宇34一种电阻校准电路、存储器和电子设备发明专利授权CN202610154880.02026-02-03CN121641139B2026-05-08李红文、饶晗35半导体结构及其形成方法、电子设备发明专利授权CN202610154983.72026-02-03CN121645865B2026-05-15刘明源、涂火金、郭琦36存储器发明专利授权CN202610143626.02026-02-02CN121687142B2026-06-05李红文37电压调控电路及存储器发明专利授权CN202610140929.72026-01-30CN121641092B2026-05-08李红文、尚为兵38半导体器件及其制造方法、电子设备发明专利授权CN202610121167.62026-01-28CN121604412B2026-05-26刘明源、孙政、李晓杰、张明、元琳39一种半导体结构的制作方法及半导体结构发明专利授权CN202610069717.42026-01-20CN121548042B2026-04-24张明、石树斌、曹鹏程、王莎莎、刘明源40半导体器件及其制造方法发明专利授权CN202610055564.82026-01-15CN121548041B2026-06-05刘明源、李春晓、雷斌、张力、邓宗伟、王宝超41一种半导体结构及其制备方法发明专利授权CN202610049381.52026-01-14CN121548106B2026-07-24刘明源、涂火金42基于存储器进行逻辑运算的方法、存储器发明专利授权CN202610036412.32026-01-12CN121506215B2026-05-15刘明源、吴元军、高王荣、邓宗伟、王宝超、王凌翔43半导体结构及半导体结构的制备方法发明专利授权CN202512059357.82025-12-31CN121442690B2026-05-08孙鹏超、钟宝健、张明、冯唯、孙政、刘明源44半导体结构的制备方法与半导体结构发明专利授权CN202512035000.62025-12-30CN121443041B2026-04-17孙政、毛思玮、丁天、田灿灿、张明、元琳45半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202511014236.52025-07-22CN120881989A2025-10-31杨晨、李辉辉、孟皓、刘明源46半导体结构的切割方法及芯片单元发明专利实质审查的生效、公布CN202511014227.62025-07-22CN120878640A2025-10-31盛薄辉、赵合明、李华博、王子安、谢炜、黄国铭47半导体结构及其形成方法、半导体堆叠结构发明专利实质审查的生效、公布CN202511014213.42025-07-22CN120878558A2025-10-31赵合明、盛薄辉48半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510976339.32025-07-15CN120825962A2025-10-21锁浩、王春阳、朱祥49半导体结构及其形成方法发明专利实质审查的生效、公布CN202510976297.32025-07-15CN120825961A2025-10-21锁浩、王春阳50存储器发明专利实质审查的生效、公布CN202510976126.02025-07-15CN120895065A2025-11-04万宁、魏冲