北京
国家知识产权局信息显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司申请一项名为“GaN基LED外延结构及其制备方法和GaN基发光二极管”的专利，公开号CN122476745A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明提供了GaN基LED外延结构及其制备方法和GaN基发光二极管。该外延结构包括依次设置的衬底、N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层，多量子阱发光层包括至少三层第一量子阱垒层和至少一层第二量子阱垒层，至少一层第二量子阱垒层位于第一量子阱垒层和P型半导体层之间，第一量子阱垒层包括第一阱层和第一垒层，第一垒层包括层叠设置的第一AlGaN层和n‑GaN层，第二量子阱垒层包括第二阱层和第二垒层，第二垒层包括层叠设置的第二AlGaN层和InGaN层。在靠近P型半导体层的一侧，部分量子垒采用第二AlGaN层和InGaN层的叠层结构，可以降低空穴从P型层注入量子阱的势垒高度，为空穴注入提供过渡能级。
天眼查资料显示，聚灿光电科技（宿迁）有限公司，成立于2017年，位于宿迁市，是一家以从事仪器仪表制造业为主的企业。企业注册资本300000万人民币。通过天眼查大数据分析，聚灿光电科技（宿迁）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目46次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息267条，此外企业还拥有行政许可44个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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