本文来源:时代周报 作者:黄嘉祥
科创板史上最大 IPO来了。
7月27日,长鑫科技(688825.SH)正式登陆上交所科创板。首发募资约579亿元,一举超越中芯国际创下的532亿元纪录,成为科创板开板以来募资规模最高的IPO,也是A股2026年以来最大IPO。
这不仅是一场资本盛宴,更是中国存储产业发展的一个里程碑。
在整个半导体版图中,存储芯片是消耗量最大、标准化程度最高、周期性最明显的品类,几乎是所有电子设备的“粮食”。但是长期以来,存储芯片由三星、SK海力士、美光垄断。直至2016年,朱一明创办了长鑫科技,切入DRAM(动态随机存取存储器)赛道。
这注定是一条难走的路。长鑫科技前些年累计亏损超300亿元,在合肥国资、国家大基金、产业资本、知名创投与金融机构数百亿资金的接力托举下,从国际三大巨头垄断中一路杀出重围,跻身全球第四、中国第一DRAM厂商,改变了全球存储市场格局。
在AI浪潮驱动下,全球存储行业进入超级周期,长鑫科技迎来收获时刻,公司2025年实现扭亏为盈,2026年上半年归母净利润预计为500亿元至570亿元,同比增长2244.03%至2544.19%。
在超级周期上市,长鑫科技发行价8.66元/股,对应上市估值5792亿元。多家机构预测,乐观预期下,长鑫科技市值有望冲击3万亿元大关。
7月27日,长鑫科技上市就刷新多项A股纪录,开盘大涨超400%,成为首只开盘突破3万亿元的科技股,超越工商银行,成为A股新市值王;上市首小时成交超1000亿元,成为A股首只单日成交额突破千亿的个股,交投活跃度空前。
长鑫科技盘中一度涨至55.03元/股,总市值达3.68万亿元,一度超越港股第一大市值股腾讯控股。截至收盘,长鑫科技报49元/股,上市首日大涨465.82%,总市值达3.28万亿元。
一家私募机构负责人对时代周报记者直言,长鑫科技上市后,市值超越国有大行等传统巨头,成为A股新股王,具有划时代意义。
“登陆资本市场对长鑫科技而言,既是新的起点,更意味着新的责任。”长鑫科技董事长朱一明此前在网上路演时表示。
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长鑫科技上市就刷新多项A股纪录 来源:图虫创意
在巨头垄断下突围
长鑫科技的逆袭故事,要从朱一明说起。
这位江苏盐城出生的70后企业家,17岁考入清华大学物理系,后赴美深造,在纽约州立大学石溪分校攻读电子工程。在美国,朱一明先后在多家半导体公司任职,曾在一家存储芯片公司做到项目主管。
“如果计算机是皇冠,CPU是皇冠上的明珠,存储器就是皇冠底座。”在硅谷的经历,让朱一明坚定地认为,“谁领导了存储器技术,谁就能称雄整个集成电路产业。”
由于存储器架构设计和制造工艺的高难度,长期以来,该领域一直被三星等大牌国外厂商所占据,中国选手的身影几乎不存在。
2005年,朱一明选择回国创业,创办兆易创新。他避开与三星、SK海力士、美光正面竞争,切入三大巨头战略性放弃的NOR Flash市场。2008年,兆易创新推出了中国第一颗自主设计的180nm SPI NOR Flash芯片。
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朱一明参加IPO路演
朱一明的野心远不止于此。他有更大的目标,那就是构建中国自主可控的DRAM研发与制造能力。
长期以来,全球DRAM市场被三星、SK海力士、美光三巨头垄断,全球多家厂商陆续被市场淘汰,留给竞争对手的生存空间极为有限。闯入这一赛道,意味着需要和三大海外巨头正面交锋,技术壁垒极高、资金投入巨大、周期长、风险高。
朱一明没有退缩。
2016年5月6日,朱一明与合肥市政府就一项存储器项目的发展战略进行研讨,一个代号为“506”的国产DRAM突围计划诞生。一个月后,长鑫科技在合肥注册成立。
2017年,兆易创新与合肥产投签署为期5年的合作协议,双方联合开展19nm制程的12英寸晶圆存储器研发项目,项目预算约180亿元,由双方按1:4比例筹集,合肥产投承担约144亿元。
“朱一明不只是做成了一家公司,更是在持续思考:中国存储产业真正缺少什么?应该建立什么样的长期能力?”华山资本创始合伙人杨镭对时代周报记者说,朱一明一直在存储领域深耕,希望解决中国存储产业长期存在的短板。这种不太计较短期得失、愿意长期投入底层硬科技的定力,在企业家中是非常难得的。
华山资本长期深耕全球硬科技和半导体产业,是兆易创新A股上市前的早期投资人,也是兆易创新2026年港股上市的基石投资者。杨镭同样毕业于清华大学,他与朱一明相识已久,一路见证了朱一明从存储芯片设计创业,到后来牵头创办长鑫科技的完整历程。
在杨镭看来,朱一明是一位既有技术专家底色,又有产业使命感,同时也具备务实商业思维的创业家。他能够把技术、产品、市场、资本和产业责任结合在一起,这是比较难得的一点。
长鑫科技成立后,如何绕开国际巨头的专利封锁,建立起属于自己的护城河尤为关键。
从零开始研发DRAM,至少需要十年时间,长鑫科技耗不起。于是,朱一明把目光投向了德国奇梦达的技术遗产,这家昔日的存储巨头在2009年破产后,留下了大量技术文档和专利。
经过近2年的秘密谈判,长鑫科技通过加拿大知识产权公司WiLAN等获得大量来自奇梦达的DRAM技术专利实施许可,“站在巨人肩膀上”重新设计芯片架构。
2018年7月16日,长鑫存储项目首次投片成功。同一年,朱一明辞去兆易创新总经理职位,全职出任长鑫科技董事长兼CEO,并立下军令状:长鑫盈利前不领一分钱工资。
2019年,长鑫科技成功推出首颗自主设计的8Gb DDR4芯片,实现中国大陆DRAM产业“从0到1”的历史性突破。
从亏损超300亿到日赚近3亿
长鑫科技量产之后,还经历了数年的亏损周期。
押注国产DRAM,注定是一场长跑,需要持续投入巨额资金。
“DRAM制造是一个典型的重资产、长周期、高风险行业。建设一条先进存储产线,需要投入数百亿元甚至更高的资金,而且前期可能长期亏损,技术研发和工艺迭代又需要很多年。”杨镭对时代周报记者称。
招股书显示,2023年—2025年,长鑫科技的研发投入分别为46.70亿元、63.41亿元、95.93亿元,三年累计206.05亿元。
高强度研发投入下,长鑫科技采取跳代研发策略,快速完成从第一代到第四代工艺平台的量产,实现DDR5、LPDDR5/5X等产品的覆盖和迭代,持续缩小与国际头部厂商技术差距,成功进入阿里云、字节跳动、腾讯等行业头部客户的供应链体系。
“每一次技术突破的背后,都凝聚着无数长鑫人的坚守与付出,也见证着中国存储产业不断向前迈进的坚定步伐。”朱一明在IPO路演时称。
在产能快速爬坡期,长鑫科技资产折旧也持续攀升。
数据显示,2023年—2025年,长鑫科技固定资产折旧分别达105.55亿元、148.75亿元、246.80亿元。
在高研发投入、资产折旧和行业周期下,长鑫科技经历了多年亏损。2022年至2024年,长鑫科技归母净利润亏损分别为83.28亿元、163.40亿元、71.45亿元,累计亏损超300亿元。截至2025年12月31日,公司累计亏损为366.5亿元。
朱一明解释,公司作为IDM模式的DRAM厂商,需要持续且密集的资本投入,报告期内公司处于产能快速爬坡阶段,规模效应尚未完全显现,固定资产规模不断扩大带来的折旧金额不断增加。长鑫科技的历史亏损具有鲜明的周期性与阶段性特征,是符合行业规律的亏损。随着产能释放、产品结构升级、精益生产管理深化和行业进入上行通道,公司盈利拐点已得到连续多期财务数据的验证
在AI浪潮下,存储行业迎来超级周期,长鑫科技也迎来业绩拐点。2025年,公司全年营收达到617.99亿元,首次实现盈利,归母净利润为18.75亿元。朱一明领了创办长鑫科技以来的第一份工资。
2026年第一季度,长鑫科技营收508亿元,同比增长719.13%;归母净利润247.62亿元,同比增长1688.30%,相当于日赚近3亿元。这一归母净利润水平,一举超过创业板“盈利王”宁德时代和科创板“盈利王”佰维存储。
根据长鑫科技预计,2026年1—6月营业收入1100亿元至1200亿元,同比增长612.53%至677.31%;归母净利润500亿元至570亿元,同比增长2244.03%至2544.19%,将抹平公司成立以来的全部累计亏损。
从今年第一季度净利润来看,长鑫科技成为A股科技股盈利之王。
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长鑫科技成为A股科技股盈利之王
资本盛宴
在长鑫科技10年突围中,离不开各路资本的支持,其IPO也是一场资本盛宴。
招股书显示,长鑫科技上市前共有60名股东,全部为机构股东。长鑫科技前五大股东分别为清辉集电、长鑫集成、大基金二期、合肥集鑫和安徽省投,在IPO发行前的持股比例分别为21.67%、11.71%、8.73%、8.37%和7.91%,合计持股约58.4%。其中,清辉集电、长鑫集成等背后具有合肥国资背景,大基金二期代表国家级产业资本,安徽省投则是安徽省属投资平台。
在业内看来,长鑫突围的本质,是政府与市场在半导体产业上的一次双向奔赴。
在长鑫科技的股东中,合肥国资“陪跑”了十年,从第一期投资超140亿元,到后来频频出现在多轮融资中,忍耐了数年的亏损。
在长鑫科技发展脉络中,各路资本接力“托举”,从合肥国资率先入局,到国家大基金加码,再到引入金融资本、产业资本和市场化投资机构。
“虽然周期长、风险高,但地方国资和国家大基金敢于如此大手笔投入,充分彰显了对国产存储产业发展的坚定信心;再加上朱一明曾成功创办兆易创新的经历,这些都是我们当时坚定看好长鑫科技的核心因素。”一家参与长鑫科技投资的创投机构相关人士对时代周报记者说。
在杨镭看来,存储制造的难度,不只是技术难。它还涉及巨额资本投入、地方政府协调、国家产业政策、供应链建设、知识产权、客户认证和全球竞争。朱一明既能够理解技术,又能够协调各类资本和产业链资源,同时还能推动阶段性的商业化落地。这种综合能力非常少见。
杨镭对时代周报记者分析,半导体制造赛道投入大、周期长、风险高,同时又具有很强的国家战略价值。多种资本共同参与,实际上是各取所长。国家级基金和地方国资是整个项目的“压舱石”,能够提供长期、稳定和大规模的资金支持。产业资本的价值,在于它真正理解行业,也能够带来客户、供应链和技术方面的协同。
在他看来,市场化VC和PE,能够吸引更多社会资本进入硬科技领域,同时帮助企业优化治理、资本结构和市场化运营能力。银行、保险、证券等金融机构,则进一步完善企业从建设、扩产到上市融资的全周期资金通道。
杨镭说,这套模式最大的价值,不只是“钱多”,而是不同类型的资金各自发挥不同作用,共同承担一个单一投资者很难独自承担的风险。
如今,随着长鑫科技上市,这些资本迎来收获时刻。按照机构预测,长鑫科技市值达到3万亿元,合肥国资的账面资产则冲击万亿元级。其他股东的回报也极为可观。
“长鑫科技登陆科创板的意义非凡,这为重资产硬科技企业建立了一个资本市场标杆。”杨镭表示,长鑫科技上市,补齐了国内存储产业链的资本闭环,也让国产存储的估值体系更加完整。同时,对于一级市场的意义非常大,对于鼓励耐心资本、鼓励更多机构进行超长期产业投资,会产生非常重要的示范作用。
估值分歧
在这场资本盛宴中,打新火爆程度空前。
长鑫科技本次上市,最终战略配售数量约16.67亿股,占初始发行数量的24.93%,获配金额合计约144.37亿元。战略配售名单涵盖社保和养老基金、国家级基金、保险资金、产业链上下游企业、员工持股计划及保荐机构。
不仅如此,网上、网下申购都十分火爆。
根据公告,长鑫科技网上申购共计吸引942.88万户散户参与打新,有效申购股数高达8169.2亿股,中签号码共有约770万个;285家网下机构投资者管理的10907个有效配售账户进行网下申购,有效申购股数共计达到约12.38万亿股,最终获配数量为21.73亿股。
其中,梁文锋通过旗下宁波幻方量化和浙江九章资产两家主体合计194只私募产品获得配售,合计获配2024.97万股,合计配售金额约为1.75亿元,是私募机构里获配数量最多的机构。
格雷资产也参与了长鑫科技打新,大部分私募产品也获得配售。
“这是一定要参与的一场打新。”格雷资产总经理张可兴对时代周报记者说,长鑫科技的上市具有划时代的意义,上市就登顶A股科技股市值榜首,超过贵州茅台、国有大行等传统A股市值巨头,改变A股市场格局。
打新火爆背后,市场对长鑫科技估值存在分歧。
从询价数据来看,有效报价区间最低探至7.26元/股,而最高报价则高达65.19元/股。若以此报价区间进行推算,这些网下投资者对长鑫科技的预期市值最低为4855.55亿元,而最高则触及了4.36万亿元。
最终,长鑫科技发行价8.66元/股,对应上市估值5792亿元。市场普遍认为这低于合理市场估值。
对于IPO发行定价事宜,朱一明在路演时回复称,公司和保荐机构根据初步询价结果,综合考虑公司基本面、市场情况、同行业上市公司估值水平、募集资金需求及承销风险等因素,协商确定本次发行价格。
半导体是典型的周期性重资产行业,国际投行以往惯用PB(市净率)估值法为存储厂商定价,但随着存储超级周期来临,也开始参考PE(市盈率)法为行业定价。
有投行人士对时代周报记者分析,存储行业属于典型的周期性行业,即便当下处于超级周期中,但在定价中也需要兼顾行业特点,以PB(市净率)作为主要估值标尺,同时参考PE(市盈率),不能过度透支未来的估值预期。
实际上,市场对长鑫科技的估值颇为乐观,大多在万亿元之上。华西证券预测长鑫科技中性估值在2万亿元至3万亿元之间。国投证券研究报告设定了保守、中性、乐观、超乐观四种估值情景,对应长鑫科技估值为1万亿元、1.5万亿元、2.3万亿元和4.25万亿元。
外资投行对长鑫科技的估值预判更高。野村证券给予长鑫科技116元目标价,对应市值7.76万亿元。
格雷资产总经理张可兴对时代周报记者表示,存储还处于超级周期里,考虑到国内市场流动性和长鑫科技本身业绩的增长速度,市场给予充分溢价。格雷资产会重点关注长鑫科技,在估值合理情况下会继续配置。
7月27日,长鑫科技开盘大涨471.59%,市值突破3万亿元,超越工商银行,成为A股新市值王。截至收盘,长鑫科技报49元/股,总市值达3.28万亿元。
有市场人士表示,需要理性看待长鑫科技估值,跳出“上市初期爆炒、冲高回落”的陷阱。
长鑫科技的下一场战役
登陆资本市场,是长鑫科技的一个新开始。
尽管长鑫科技产能规模已位居中国第一、全球第四,实现了跨越式发展,但与国际三巨头仍有较大的差距,尤其是以HBM为代表的高端芯片市场仍由三巨头主导。
SemiAnalysis分析师近日表示,长鑫科技在HBM相关技术层面,相较海外头部企业仍存在差距。现阶段,公司的主营业务收入依然来自DDR5/LPDDR5等通用产品。
深度科技研究院院长张孝荣对时代周报记者表示,长鑫科技上市后受益于AI驱动的DRAM超级景气周期,公司营收和产能可以得到快速扩张;但市占率和HBM高端技术差距短期内不会改变,其突围方向在于保持创新效率,不断技术突破,坚持跳代研发,加速工艺迭代;重金投入技术升级,瞄准高端HBM产品,拓展产品矩阵与海外市场,力争在未来几年缩小代差、提升全球份额。
朱一明也有清醒的认识。他在路演时表示,长鑫科技距离DRAM行业前三家国际头部厂商仍有一定差距,且产能规模亦远低于国内庞大的市场需求。
这是长鑫科技的考验,也是机遇所在。
长鑫科技正在积极扩产,抢占市场份额。根据公告,长鑫科技计划将本轮募集资金投向新一代DRAM产能扩建与HBM高带宽存储技术研发项目。
在杨镭看来,上市以后,长鑫将拥有更加稳定和多元的融资渠道,帮助公司进一步缩小与三星、SK海力士和美光等国际领先企业之间的差距。
“长鑫作为国内重要的DRAM制造企业,有机会受益于国内算力基础设施建设和本土供应链需求增长。国内服务器厂商、数据中心和汽车客户,也会越来越重视供应链安全和本土化采购。”杨镭认为,这会为长鑫打开长期成长空间。
朱一明说,随着本次上市募集资金建设项目的稳步推进,公司将加速工艺升级,从而实现更低的单位成本,更强的市场竞争力及盈利能力,更有效地满足未来全球下游市场旺盛的需求,助力公司在全球DRAM市场中占据更有利的地位。
当然,DRAM行业具有强周期性,价格波动较大,且AI发展对DRAM市场需求存在不确定性。
杨镭对时代周报记者说,长鑫科技未来仍需要不断优化产品结构,提高DDR5、车载存储、服务器存储以及其他高附加值产品的比重,以降低单纯依赖行业周期的风险,中国存储产业还有很长的路要走。
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