北京
国家知识产权局信息显示，江西兆驰半导体有限公司申请一项名为“基于LSPR的半导体低阻欧姆接触结构及制备方法”的专利，公开号CN122458567A，申请日期为2026年5月。
专利摘要显示，本发明提供基于LSPR的半导体低阻欧姆接触结构及制备方法，属于半导体领域。低阻欧姆接触结构集成于半导体外延片的接触层上表面，其自下而上包括：等离激元功能层、透明导电层和金属电极；等离激元功能层包括金属纳米结构层和介质间隔层；金属纳米结构层由周期纳米颗粒阵列或纳米岛阵列构成，用于产生和调控LSPR效应，形成强局域电场；介质间隔层覆盖于所述金属纳米结构层表面及周围，用于钝化金属纳米结构层，固定其LSPR特性，并提供可控的间隔。本发明通过等离激元共振的物理场调制效应直接降低肖特基势垒，在不显著牺牲透明导电层透光率的前提下，实现了接触电阻的大幅下降，解决了传统技术中高透明与低电阻的矛盾。
天眼查资料显示，江西兆驰半导体有限公司，成立于2017年，位于南昌市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本160000万人民币。通过天眼查大数据分析，江西兆驰半导体有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目20次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息1707条，此外企业还拥有行政许可62个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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