北京
国家知识产权局信息显示，深圳方正微电子有限公司申请一项名为“同质夹层台阶的阻焊结构的制作方法及半导体器件”的专利，公开号CN122458822A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开了一种同质夹层台阶的阻焊结构的制作方法及半导体器件。半导体器件包括半导体衬底、位于半导体衬底上方的层间介质层、位于层间介质层上方的钝化层以及同质夹层台阶的阻焊结构。同质夹层台阶的阻焊结构。同质夹层台阶的阻焊结构在钝化层上方依次设置第一阻焊层、第二阻焊层、化镀金属层和第三阻焊层，形成三层同质阻焊夹层结构。相较于现有的单层阻焊方案，三层同质阻焊夹层的设计大大增加了阻焊层的总厚度和致密性，阻焊效果得到显著提升。通过三层同质阻焊夹层相互配合，将湿气和焊料的入侵路径从简单的直线型转变为复杂的折线型，显著延长了入侵路径长度，增强了防护效果，有效防止PI peeling的发生。
天眼查资料显示，深圳方正微电子有限公司，成立于2003年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本462944.839374万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳方正微电子有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目32次，财产线索方面有商标信息7条，专利信息901条，此外企业还拥有行政许可226个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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