北京
半导体分析机构SemiAnalysis近日放出一组电子显微镜照片，直指华为最新旗舰手机搭载的麒麟9030芯片。实测数据显示，这颗芯片的最小金属间距仅为32.5纳米，比Intel目前最先进的量产节点Intel 18A还要紧密约10%。
更让行业震动的是，麒麟9030并未使用极紫外光刻技术。据SemiAnalysis披露，代工方中芯国际在无法获得ASML的EUV设备情况下，靠着深紫外光刻硬生生把金属间距压进了32.5nm。一位分析师的原话是：被切断最先进工具供给的中国晶圆厂，把走线密度做得比Intel的EUV节点还紧。
Intel 18A是英特尔重返工艺领导权的核心节点，计划用于下一代Panther Lake处理器。该节点全线采用Intel 4之后的自研技术，包括PowerVia背部供电和RibbonFET环绕栅极，并配合ASML的EUV光刻机。然而，麒麟9030的横空出世，直接捅破了“EUV等于绝对领先”的窗户纸。
出口管制对此似乎并未奏效。中芯国际被美国制裁，无缘全球最尖端的EUV工具，理论上DUV光刻机的分辨率极限在38-40nm左右。但SemiAnalysis的测量显示，中芯国际极有可能通过改进自对准四重图形技术，或者优化套刻精度、使用新型间隔材料，将金属间距推低至35nm以下，直逼Intel 18A。
目前中芯国际并未公开具体工艺细节，SemiAnalysis也未提供完整的制程分析。华为和中芯国际均未对该测量结果发表评论。
值得留意的是，Tom's Hardware援引的另一份分析指出，中芯国际N+3工艺的晶体管密度约为每平方毫米5200万个，与台积电N6节点处在同一水平。但该节点在性能和能效上并未展现出竞争力，意味着密度优势背后可能隐藏着良率或功耗的妥协。金属间距只是衡量工艺先进性的一个维度，真正的晶体管性能、功耗表现
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
