北京
国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体结构及其制作方法”的专利，公开号CN122438367A，申请日期为2022年5月。
专利摘要显示，本公开实施例公开了一种半导体结构及其制作方法，所述半导体结构包括：基底；半导体器件，位于所述基底上；第一掺杂阱和第二掺杂阱，位于所述基底中；其中，所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱的掺杂类型不同；密封环，位于所述基底上，与所述第一掺杂阱和所述第二掺杂阱耦接；其中，所述密封环包围所述半导体器件；焊盘，与所述密封环耦接，位于所述密封环相对远离所述基底的一端。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1454次，财产线索方面有商标信息1026条，专利信息6150条，此外企业还拥有行政许可1009个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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