四川
上周（7月13日—7月17日），上证科创芯片设计指数（950162）经历剧烈调整，全周大幅下跌22.99%，为指数发布以来的最大单周跌幅。指数剧烈调整，系行业利空、外围传导及获利回吐三杀共振所致。
1. 行业突发双重黑天鹅，压制板块风险偏好
7月16日盘中接连曝出两大半导体领域利空消息，大幅挫伤板块投资信心：
韩国反垄断突击调查落地：7月16日早间消息发酵，15日首尔中央地方检察厅公平交易调查部对澜起科技、瑞萨电子、Rambus 三家企业驻韩办事处开展突击搜查，指控三方涉嫌违反韩国《公平交易法》，在向三星电子、SK 海力士供应内存接口芯片过程中串通操纵供货价格。该事件加重市场对国内芯片企业海外合规、跨国监管处罚的潜在风险担忧。
美国337调查正式立案，存储知识产权风险升温： 美国国际贸易委员会（ITC）于 7月15日公告，针对特定DRAM设备及终端产品发起337调查。本次调查由Netlist发起，主张三星HBM、DDR5 RDIMM、MRDIMM内存模组侵犯其存储、TSV硅通孔核心专利。调查落地直接冲击存储芯片产业链估值，市场普遍担忧国内相关企业高端产品出海、海外专利诉讼风险上行。
2. 亚太芯片板块同步走弱，韩国杠杆调整情绪外溢
7月16日亚太半导体标的集体回调，韩国综合指数开盘下跌超4%(全天收盘下跌6.37%)，恐慌情绪跨市场传导。一方面，随着韩国政府对金融杠杆风险的关注度提升，市场担忧杠杆资金从高估值的科技板块撤离，对韩股及存储芯片龙头构成压力。另一方面，市场对全球存储芯片龙头SK海力士未来业绩的担忧情绪仍在蔓延，其股价的持续调整拖累了韩国KOSPI指数，恐慌情绪迅速传导至港股及A股，导致亚太芯片股整体承压。
3. 前期积累丰厚浮盈，止盈盘与融资盘集中流出
科创芯片设计指数自6月9日行情启动以来，至前期高点累计涨幅巨大（截至6月30日，15个交易日累计涨幅达43.09%），上半年更是大涨85.27%，积累了大量获利盘。在外部冲击和行业利空的双重催化下，部分长期布局的获利投资者选择兑现收益。此外，市场调整压力加剧了杠杆资金的流出，此前快速涌入的融资盘也面临强平或主动减仓的压力，融资余额从6月25日的高点30101亿持续下滑至7月16日的28377亿元，其中半导体融资余额从3338亿持续下滑至2945亿元。短期资金的集中了结，显著放大了指数的回调幅度。
尽管上周市场情绪急转直下，半导体行业高景气度的基本面逻辑并未发生根本改变：
1. AI算力需求持续高增： 豆包大模型6月日均Token调用量已达180万亿，约为2025年底的3倍，下游推理需求加速释放的趋势不变。OpenRourter上周度Token调用量继续新高，同比增速接近17倍。
2. 全产业链涨价潮蔓延： 台积电继先进制程涨价后，计划自2027年1月起上调成熟制程（28nm及以上）代工价格，涨幅目前预计为个位数百分比，为逾三年来首次。台积电6月营收约4426.8亿新台币，同比增长67.9%，印证行业订单动能强劲。SK海力士CEO此前也明确指出2027年存储行业将迎史上最大短缺，中长期供需格局依然偏紧。
综合来看，上周科创芯片设计指数的大幅波动，本质上是行业利空、外围传导及获利回吐共同作用的结果。我们认为，半导体行业高景气度的基本面并未发生逆转，AI算力尤其是推理侧需求仍具备坚实支撑，亦未见重大负面事件导致景气拐头向下。短期波动不改中长期向好逻辑，市场在上周剧烈调整后，流动性风险基本释放完毕，后续仍有望回归基本面驱动的轨道。
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