IPO申购狂热之下，长鑫存储还要跨过两重关

7月16日，国产DRAM存储芯片龙头长鑫科技集团股份有限公司（股票代码：688825，下称“长鑫存储”）正式开启科创板申购。

根据公告，长鑫存储发行价为8.66元/股，初始发行股份66.88亿股，占发行后总股本10%。超额配售选择权行使前，预计募集资金总额约为579亿元人民币，若全额行使，募资总额将达666亿元。

这一规模将超过2020年中芯国际的募资纪录，长鑫存储将创造科创板史上最大规模IPO。

在各路资金的认购意向于16日这天如潮水般涌来前，长鑫存储早在7月14日晚就公告披露了战略配售的豪华阵容：既有国调基金、中国人寿国家级大型投资基金或险资机构参与，还有中微公司、通富微电等半导体产业链公司，以及腾讯、阿里云、小米、蔚来等下游企业。

一场由长鑫存储搅动的资本狂欢就此展开。几乎同时，行业研究机构也将这家中国DRAM龙头放在全球坐标系中进行再评估。

根据Counterpoint Research最新报告显示，按比特（bit）出货量计算，长鑫存储已占据全球DRAM市场约9%的份额，位列全球第四。过去十余年间，全球DRAM市场由三星、SK海力士和美光三家跨国巨头垄断，长鑫存储能否一步步破局“三寡头”？

长鑫存储招股书显示，其在2026年上半年迎来业绩爆发，预计实现营业收入1,100亿至1,200亿元，归母净利润预计达500亿至570亿元。

其实，长鑫存储能在2026年中期冲刺IPO，正是踩中了全球存储行业的“超级周期”，DRAM市场供需缺口引爆产品价格飙升，但产业周期与业绩增势的红利，它又能吃多久？未来的增长故事要怎么讲？

需要跨越一道份额的鸿沟

不论是Counterpoint Research统计口径下的9%市占率，还是CFM闪存市场数据，2026年第一季度长鑫存储销售收入达73.09亿美元，市场份额7.7%。抑或长鑫存储招股书中援引Omdia数据显示，其全球市占率约为7.67%。这些都真实地反映着这个全球DRAM市场排位第四的厂商与前三名的巨大差距。

2026年第一季度，三星以近40.5%的市占率稳居龙头，SK海力士以约29%排名第二，美光以约22%位居第三——三巨头合计掌控全球DRAM市场超90%的份额。

长鑫存储与上述海外三巨头之间横亘着一道份额的鸿沟，在筹谋破局前，它还需要跨越一道严峻的“生死线”。

Counterpoint Research研究总监黄敏成回顾起2008年的中国台湾DRAM产业，彼时当地厂商整体份额跌破15%后，高昂的研发与设备投入无法收回，无力支撑下一代晶圆厂投资，最终份额一路溃败至3%左右，被迫退出主流赛道。

黄敏成分析，15%的市场份额是企业实现长期可持续发展的关键门槛。而长鑫存储目前的全球市场份额约占9%，预计到2028年才将提升至约11%。能否突破15%的市场份额门槛，是产业市场与行业研究机构观察长鑫存储未来发展空间的重要指标。

2023年-2025年，长鑫科技分别实现营业收入90.87亿元、241.78亿元、617.99亿元；归母净利润也从-163.40亿元扭亏为盈至18.75亿元。2026年第一季度，公司实现营业收入508亿元，同比增长约7倍；归母净利润247.62亿元，同比增长1688%。

业绩的爆发，受益于全球DRAM市场的供需缺口。但TrendForce集邦咨询分析师王豫琪给出监测数据显示，通用DRAM合约价在2026年Q1、Q2的涨幅分别达93-98%和58-63%，预计Q3将续涨13-18%。

“涨幅呈现收敛趋势。”王豫琪告诉钛媒体，由于供给端仍缺乏新厂产能支持，全球DRAM供不应求的格局预计将延续至2027年。

为应对周期波动并确立规模优势，长鑫存储选择加速出货。招股书公开的规划显示，长鑫存储计划在2030年实现产能翻倍、2035年产能增至当前三倍。其短期目标更为激进：通过上海、北京新建晶圆厂以及合肥大型产业集群建设，其月产能将由目前的约32万片晶圆提升至2026年底的35万片、2027年的42万片、2028年的50万片。

对比美光预计2026年底实现的月产能37.5万片，长鑫存储虽与之仅有微小差距，但这种产能追赶背后“用规模换生存”的方式，能否真正助力它跻身全球DRAM主流核心竞争格局，仍未可知。

IPO募资后更要讲好增长故事

长鑫存储本次在科创板IPO募集的579亿元人民币中，有大量资金将聚焦于技术主业与产能扩充：其中75亿元用于产线升级、130亿元用于DDR5/HBM高端存储研发、90亿元用于前沿技术攻关，另有超过220亿元明确用于设备购置及安装。

长鑫存储还试图在新的产品结构上讲故事。

过去，长鑫存储主要依靠DDR4、LPDDR4等中低端通用产品在本土市场进行国产替代，伴随募资到位，其产品结构将面临实质性转型：首先是LPDDR5和DDR5等高端产品占比预计将迅速接近其总产量的75%；其次面向PC及服务器市场的DRAM产品已开始进入全球OEM客户供应链；再者长鑫存储正在推进12层堆叠HBM3的量产与验证，依托本土AI生态导入，目标是到2028年实现约20亿美元的HBM业务收入。

不过，在HBM高端存储这个AI时代最关键的赛道上，SK海力士独占全球58%的市场份额，而长鑫存储的HBM3与之存在2-3年的代差。若如王豫琪分析的，全球DRAM供不应求格局延续至2027年，之后产能集中释放、AI需求步入平稳期，长鑫存储在周期顶峰投入铺开的产能，会否在下行周期中变成折旧包袱，或将成为新的考验。

实际上，在实现产品结构转型的过程中，长鑫存储要缩短与海外巨头间的技术差距，回避不了来自先进半导体设备的获取难题。

Counterpoint Research研究副总裁尼尔·沙阿分析指出，由于无法获得先进光刻设备，长鑫存储只能加快探索垂直沟道晶体管和晶圆堆叠等新一代3D DRAM技术路线。

显然，如何与三星、SK海力士、美光这些传统国际领先厂商，在技术工艺水平上赛跑，是长鑫存储冲刺IPO后仍需投入时间去解决的问题。

作为中国存储芯片的代表，长鑫存储要实现关键技术、产品的跃迁，一定需要跨越重重关卡，像设备之困便是其一。但尼尔·沙阿认为，国际领先厂商或因兼顾昂贵设备的投资回报率，可能会推迟基础技术架构的切换，而长鑫存储或能被迫探索新的技术架构，将外部压力转化为技术突围的动力，实现对海外巨头厂商的追赶，甚至使中国成为下一代存储技术发展的重要风向标。（作者|钱玉娟，编辑|杨林）