北京
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国家知识产权局信息显示，ASM IP私人控股有限公司申请一项名为“用于形成包含硅的层的方法和系统”的专利，公开号CN122396815A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，公开了用于在衬底上形成含硅层的方法和系统。这些方法包括执行多个沉积循环。沉积循环包括第一前体脉冲，该第一前体脉冲包括将衬底暴露于第一前体。第一前体包括包含P‑Si键的分子。沉积循环还包括等离子体脉冲，该等离子体脉冲包括将衬底暴露于等离子体处理。等离子体处理包括产生等离子体。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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