北京
国家知识产权局信息显示，北京新忆科技有限公司申请一项名为“一种1S1R型存储器件及其制备方法”的专利，公开号CN122395955A，申请日期为2026年6月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体存储器技术领域，公开了一种1S1R型存储器件及其制备方法，该1S1R型存储器件包括自下而上依次设置的底部电极、选择器开关层、中部电极、阻变层、储氧层和顶部电极；底部电极、选择器开关层和中部电极构成选择器单元，中部电极、阻变层、储氧层和顶部电极构成阻变存储单元，中部电极为选择器单元和阻变存储单元的共用电极。选择器开关层的厚度为10～500Å，阻变层的厚度为10～200Å，储氧层的厚度为10～500Å。本申请通过选择器单元与阻变存储单元的垂直串联结构，在保持阻变存储功能的同时抑制交叉阵列中的漏电通路，并通过储氧层参与阻变层中的氧相关组分调节，提高器件读写和阵列集成适配性。
天眼查资料显示，北京新忆科技有限公司，成立于2018年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本3218.1273万人民币。通过天眼查大数据分析，北京新忆科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息11条，专利信息42条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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