北京
国家知识产权局信息显示，江苏英思特半导体科技有限公司申请一项名为“一种干湿协同的超导薄膜晶圆刻蚀残影抑制方法及系统”的专利，公开号CN122373686A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明涉及一种干湿协同的超导薄膜晶圆刻蚀残影抑制方法及系统，具体步骤包括，S1、获取晶圆光刻返工信息：读取晶圆的的光刻返工记录，获取当前晶圆是否经历过光刻返工的标识信息以及返工次数；S2、旋转式湿法源头阻断处理；S3、干法刻蚀前的光学检测与干燥处理；S4、干法自适应刻蚀与循环清洗；S5、湿法净化处理：刻蚀完成后，晶圆浸入缓冲氧化物刻蚀槽单元内进行清洗，最后进入干燥槽单元进行干燥。本发明具有如下优点：在保证刻蚀效果的前提下，最大限度减少离子对超导薄膜的溅射损伤，避免氧空位缺陷与晶格畸变的产生，有效保留了超导薄膜晶圆的本征超导性能。
天眼查资料显示，江苏英思特半导体科技有限公司，成立于2019年，位于南通市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，江苏英思特半导体科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目18次，专利信息22条，此外企业还拥有行政许可5个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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