立昂微取得快恢复芯片相关专利，芯片结构设计实现快恢复二极管软度特性

来源：新浪证券-红岸工作室

7月4日消息，国家知识产权局信息显示，杭州立昂微电子股份有限公司申请一项名为“一种具有软恢复特性的快恢复二极管芯片”的专利，授权公告号CN115763573B，授权公告日为2026年7月3日。申请公布号为CN115763573A，申请号为CN202211479691.9，申请公布日期为2026年7月3日，申请日期为2022年11月24日，发明人徐林海，专利代理机构杭州宇信联合知识产权代理有限公司，专利代理师梁群兰，分类号H10D8/50、H10D62/10、H10D8/01。

专利摘要显示，本发明公开了一种具有软恢复特性的快恢复二极管芯片及其制作方法。所述快恢复二极管芯片，由下至上依次包括阴极金属层、N+型阴极区、第一N‑型区、i区、第二N‑型区、P+型阳极区以及阳极金属层；其中所述i区为一本征薄层，且在所述i区内设有规则排列的若干N+井区，所述N+井区在纵向上贯穿所述i区。通过局部浓度控制，在常规P+/N‑/N+结构的N‑层中，引入一本征薄层，并在该薄本征层中设置特定N+井区，避免了快恢复二极管在快恢复过程中电流的强烈震荡，实现快而软的恢复特性。本发明通过芯片结构设计和相对简单的工艺过程，实现了快恢复二极管的软度特性的要求，获得恢复速度快、软度及漏电综合性能优良的快恢复二极管芯片。

立昂微于2002年3月19日成立，2020年9月11日在上海证券交易所上市，注册地址和办公地址均为浙江省杭州市。它是国内半导体硅片及功率器件领域的重要企业，核心业务涵盖半导体硅片、功率器件等，具备先进的制造工艺和技术优势。

立昂微主营业务为半导体硅片、半导体功率器件、化合物半导体射频芯片，所属申万行业为电子 - 半导体 - 半导体材料，属于科特估、碳基半导体、半导体材料概念板块。

2025年，立昂微实现营业收入35.91亿元，在28家同行中排名第5，高于行业平均数19.44亿元和中位数11.14亿元，但与第一名有研新材的95.42亿元、第二名雅克科技的86.11亿元有差距。主营业务中，半导体硅片收入23.85亿元，占比66.40%；半导体功率器件芯片收入8.39亿元，占比23.37%；化合物半导体射频及光电芯片收入3.27亿元，占比9.12%；其他收入3961.31万元，占比1.10%。净利润方面，2025年为 - 1.88亿元，在28家同行中排名第24，远低于行业平均数3007.8万元和中位数8178.71万元，与第一名雅克科技的10.3亿元、第二名江丰电子的4.14亿元差距明显。

杭州立昂微电子股份有限公司近期专利情况如下：

序号专利名称专利类型法律状态申请号申请日期公开(公告)号公开(公告)日期发明人1一种肖特基二极管势垒区接触界面的清洗方法发明专利公布CN202511076402.42025-08-01CN121034946A2025-11-28王向、咸春雷、李慧雯、孙美美2一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411912350.52024-12-24CN119497404A2025-02-21刘伟3一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法发明专利实质审查的生效、公布CN202411912346.92024-12-24CN119545818A2025-02-28刘伟4一种肖特基势垒二极管及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN202411910085.72024-12-24CN119364782B2025-04-25刘伟5一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管实用新型授权CN202423192730.42024-12-24CN223681429U2025-12-16刘伟6一种沟槽肖特基势垒二极管实用新型授权CN202423192729.12024-12-24CN223681428U2025-12-16刘伟7一种沟槽内具有散热通道的台阶状沟槽肖特基势垒二极管实用新型授权CN202423192736.12024-12-24CN223957878U2026-02-27刘伟8一种具有软恢复特性的快恢复二极管芯片发明专利授权CN202211479691.92022-11-24CN115763573B2026-07-03徐林海9一种适用于低导热导电材料基板的器件制成方法发明专利专利申请权、专利权的转移、授权、实质审查的生效、公布CN201811592435.42018-12-25CN109782383B2021-02-23任华、汪文宇10一种废液分装收集装置实用新型授权CN201721147473.X2017-09-08CN207174559U2018-04-03刘志明11一种肖特基势垒二极管及其制造方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、发明专利申请公布CN201710272727.92017-04-24CN107359208A2017-11-17刘伟12一种肖特基势垒二极管及其制造方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、公布CN201710171378.12017-03-21CN107359207A2017-11-17刘伟13热电堆红外探测器及其制造方法发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、发明专利申请公布CN201710155378.22017-03-15CN107403863A2017-11-28刘伟14半导体热电堆红外探测器及制造方法发明专利发明专利申请公布后的驳回、实质审查的生效、发明专利申请公布CN201710144113.22017-03-10CN107356341A2017-11-17刘伟15一种在线的砂浆再利用的装置发明专利专利申请权、专利权的转移、授权、实质审查的生效、公布CN201610276167.X2016-04-29CN105773430B2017-08-25倪永明、李刚、田达晰、何永增16一种沟槽栅结构半导体整流器及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN201610148516.X2016-03-16CN105810755B2018-09-28刘伟17一种半导体整流器及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN201610148745.12016-03-16CN105742338B2018-09-28刘伟18一种肖特基势垒半导体整流器及其制造方法发明专利授权、实质审查的生效、公布CN201610148515.52016-03-16CN105789334B2018-11-23刘伟19一种用于芯片级封装的肖特基芯片实用新型专利权的终止、授权CN201620108813.72016-02-03CN205428934U2016-08-03张瑞丽、周诗雨、徐林海、朱春生、黄力平20一种用于芯片级封装的肖特基芯片发明专利发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、发明专利申请公布CN201610075433.22016-02-03CN105938848A2016-09-14张瑞丽、周诗雨、徐林海、朱春生、黄力平