北京
国家知识产权局信息显示，佛山市国星半导体技术有限公司申请一项名为“一种GaN基LED外延结构及其制备方法”的专利，公开号CN122340981A，申请日期为2026年3月。
专利摘要显示，本发明公开了一种GaN基LED外延结构及其制备方法，涉及LED器件技术领域。GaN基LED外延结构，包括衬底，以及在所述衬底上依次层叠设置的掩模层、U‑GaN层、N‑GaN层、多量子阱层、电子阻挡层和p‑GaN层；所述掩模层内开设有若干纳米孔，所述纳米孔沿所述掩模层的厚度方向贯穿所述掩模层；所述纳米孔内设置有GaN纳米柱，所述GaN纳米柱的一端与所述衬底连接，另一端延伸至所述掩模层的外部，以使所述GaN纳米柱的部分结构凸出于所述掩模层的表面；所述U‑GaN层覆盖于所述掩模层和所述GaN纳米柱的表面。采用本发明，可有效降低缺陷密度，提高外延层质量，从而减缓GaN的水解反应，提升GaN基LED外延结构的抗水解能力。
天眼查资料显示，佛山市国星半导体技术有限公司，成立于2011年，位于佛山市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本82000万人民币。通过天眼查大数据分析，佛山市国星半导体技术有限公司参与招投标项目544次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息457条，此外企业还拥有行政许可22个。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
