北京
国家知识产权局信息显示，苏州能讯高能半导体有限公司申请一项名为“一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件”的专利，公开号CN122318280A，申请日期为2024年12月。
专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底、位于衬底一侧的沟道层以及位于沟道层远离衬底一侧的欧姆再生长层；欧姆再生长层包括第一n型再生长层和第二n型再生长层；第一n型再生长层与沟道层接触，第二n型再生长层位于第一n型再生长层远离衬底的一侧；第一n型再生长层包括n型掺杂剂和辅助添加剂，第二n型再生长层包括n型掺杂剂，且不包括辅助添加剂；第二n型再生长层的n型掺杂浓度大于第一n型再生长层的n型掺杂浓度。本发明的技术方案可以进一步降低源漏极区的接触电阻，提升器件的输出性能。
天眼查资料显示，苏州能讯高能半导体有限公司，成立于2011年，位于苏州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本50820.4461万人民币。通过天眼查大数据分析，苏州能讯高能半导体有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目16次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息339条，此外企业还拥有行政许可15个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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