海外研选 | 美银：美光业绩验证存储超级周期 全球市场2027年或突破1.2万亿美元

财联社6月29日讯（编辑 夏军雄）美银证券在最新研报中指出，美光科技第三财季（3-5月）财报和指引强劲，为持续升温的存储芯片行情提供了迄今最强的一次验证。

该行认为，全球存储行业正在进入一轮可能延续至2027年、甚至更久的超级周期。与以往由PC、手机补库存主导的短周期不同，本轮景气的核心，是AI服务器对高带宽内存（HBM）、先进DRAM和企业级SSD的需求激增，同时供给端扩张却受到资本、工艺、厂房和基础设施等多重限制。

美银预计，全球DRAM和NAND市场规模将在2026年达到8768亿美元，2027年突破1.2万亿美元。增长建立在价格大幅上升、AI服务器存储需求扩张、HBM持续放量以及供给受限的基础之上。

美光交出高增长答卷

美光本季业绩的突出之处，不仅在于营收规模快速扩大，也在于利润率达到历史高位。

截至2026年5月的第三财季，美光营收达到410亿美元，同比增长346%；毛利率升至85%，营业利润率达到81%。公司预计截至8月的第四财季营收将进一步达到500亿美元，环比增长约21%。

这意味着美光单季年化收入规模约2000亿美元。若以美光约20%左右的全球市场份额估算，全球DRAM和NAND市场的年化规模已接近1万亿美元。

美光还披露，HBM4累计销售额已达到约10亿美元。

从产品价格看，美光第三财季DRAM平均售价环比上涨约60%以上，NAND平均售价环比上涨约80%以上。

价格上行叠加产品结构改善，使公司毛利率和营业利润率大幅攀升；其中DRAM业务营业利润率达到81%，NAND业务营业利润率也达到78%。

这一盈利能力远高于传统存储周期中的常态。过去，DRAM和NAND通常被视为高度同质化、价格波动剧烈的商品市场，厂商在供需反转时往往迅速陷入价格竞争和利润压缩。但本轮行情中，高端产品供应不足、客户争夺长期供货保障、厂商控制低端扩产节奏，共同提升了存储企业的议价能力。

AI服务器内存和存储容量快速上移

美银预计，服务器将在2026年占全球DRAM bit需求约43%，到2027年将升至56%，2028年进一步达到58%。

AI服务器尤其关键。与传统通用服务器相比，AI训练和推理系统不仅需要更多计算芯片，也需要更大容量、更高带宽、更低延迟的内存体系。

从单机配置看，服务器DRAM容量预计将从2025年的1066GB增至2026年的1172GB，2027年达到1251GB，2028年进一步升至1383GB。服务器SSD容量同样快速提高，预计将从2025年的3640GB增至2026年的3959GB、2027年的4305GB、2028年的4683GB。

AI基础设施对单位设备存储密度的提升，正在弥补甚至超过消费电子需求的疲弱。

在NAND市场，SSD需求的重要性同样上升。美银预计，SSD将在2026年占全球NAND bit需求约35%，2027年升至44%，2028年达到45%。其中，数据中心和服务器SSD将成为主要增量来源。

HBM则是AI带动存储价值量提升的最典型产品。美银预计，全球HBM销售额将从2025年的64.6亿美元增至2026年的269.4亿美元、2027年的485亿美元、2028年的627.3亿美元，并在2030年达到836.1亿美元。

由于HBM技术门槛更高、封装环节更复杂、单位价值远高于普通DRAM，其增长将显著改善头部厂商的收入质量和利润结构。

新增供给难以追上需求

通常而言，存储价格飙升会刺激厂商扩产，并最终导致供给过剩。然而，美银认为，本轮周期的关键特征在于：资本开支虽然快速增长，但可转化为有效供给的新增产能依然有限。

美银预计，2026年全球DRAM资本开支将增长65%，NAND资本开支将增长56%，两者合计资本开支约1192亿美元，同比增长63%。但这并不意味着传统存储晶圆供给会同步大幅增加。

（美银对全球存储行业营收、ASP以及资本开支的预测）

一方面，先进制程和HBM生产占用了更多晶圆资源。HBM并非简单的DRAM升级产品，其制造涉及更复杂的晶圆工艺、堆叠和先进封装，单位产出对晶圆、设备和工程资源的消耗显著高于普通DRAM。厂商将更多资源转向HBM，意味着传统DRAM可供市场的有效产能受到挤压。

另一方面，新建晶圆厂并不容易。厂房建设需要大量资金，且面临电力、用水、环境审批、地方监管、设备交期和技术良率等约束。即使厂商增加资本开支，扩产效果也可能需要数年才能完全体现。

美银预计，2026年DRAM产能仅增长11%，2027年增长9%；NAND产能在2026年增长5%，2027年增长4%。与需求和价格的爆发式增长相比，供给增速显得温和。这种“高资本开支、低有效供给增长”的组合，是本轮存储价格能够维持高位的重要原因。

韩国半导体出口数据也侧面印证了景气度。6月前20日，韩国半导体出口额达到255亿美元，环比增长16%，同比增长188%，已连续五个月维持三位数增长。考虑到韩国出口结构中存储芯片占据重要位置，这一数据反映出全球客户采购和价格上涨正在共同拉动行业收入。

（韩国半导体出口增长趋势）

长期协议正改变商业模式

另一个值得关注的变化是长期供货协议的增加。

美银认为，大型存储厂商正更多与云计算巨头、AI芯片厂商和OEM客户签署长期协议，以锁定供货量、价格机制和产品组合。过去，存储芯片大量依赖现货市场和季度价格谈判，价格波动往往迅速传导至厂商收入和利润，行业盈利极不稳定。

长期协议的增加，可能降低存储市场对短期现货价格的依赖。其直接结果是，未来ASP（平均售价）未必会像此前一样持续暴涨，但厂商的收入可见度、产能规划能力和利润稳定性有望提高。

这种变化尤其有利于拥有高端产品、技术能力和全球客户资源的头部公司。三星电子、SK海力士和美光在HBM、先进DRAM、企业级SSD等领域具备更强优势，也更有能力与大型客户建立长期供货关系。

相比之下，产品结构仍以传统DRAM为主、长期协议覆盖率较低的厂商，虽然也能受益于整体价格上涨，但盈利波动可能更大。

以南亚科技为例，其DRAM销售仍主要依赖月度或季度议价，因而对现货和短期合约价格的敏感度更高。

从行业角度看，这意味着存储芯片可能不再完全遵循过去“涨价—扩产—过剩—亏损”的剧烈循环。

若长期协议、高端产品占比和供给纪律能够持续，存储行业的盈利模式有望向晶圆代工靠拢：高资本门槛、稳定客户关系、更长订单周期和更高自由现金流水平。

DRAM强于NAND，头部厂商受益更明显

尽管整体景气向上，DRAM和NAND的表现并不完全一致。

DRAM仍是本轮周期中最强的品类。美银预计，全球DRAM销售额将在2026年达到5572亿美元，同比增长316%；2027年进一步增至7991亿美元，同比增长43%。DRAM平均售价预计2026年同比上涨242%，2027年再涨23%。

NAND市场同样受益于企业级SSD和AI数据中心需求，但价格表现弱于DRAM。美银预计，全球NAND销售额将在2026年达到3196亿美元，同比增长295%，2027年达到4130亿美元，同比增长29%。但NAND现货价格近期已出现走弱：1Tb、512Gb和256Gb晶圆价格均环比下跌约2%。

这意味着，NAND供需虽在改善，但其市场结构、产品差异化和定价能力仍弱于DRAM。对投资者而言，DRAM、HBM和高端服务器内存产业链的景气确定性相对更高，而NAND领域则需要关注企业级SSD需求能否持续抵消传统消费电子市场的疲弱。

在公司层面，SK海力士是HBM需求爆发的直接受益者；三星电子则同时覆盖DRAM、NAND、HBM和先进封装，具备更完整的产品布局；美光则通过业绩证明其在高端存储领域的追赶速度正在加快。

铠侠、闪迪和西部数据等NAND厂商也将受益于企业级SSD升级，但短期仍需面对NAND价格波动带来的不确定性。