北京
2026 年 6 月 29 日，投资银行 Jefferies 最新研报警告，全球存储芯片涨价潮远未结束。
DRAM 和 NAND 价格可能在 2026 年第三季度环比上涨 40% 至 50%，第四季度再上涨 30% 至 40%，真正缓解要等到 2028 年。
这一预测明显高于市场原先预期。
此前市场普遍认为，第三季度存储价格涨幅约为 15% 至 20%，第四季度涨幅低于 30%。
Jefferies 专家电话会后的判断，几乎将涨幅预期翻倍。
Jefferies 认为，涨价核心仍是 AI。
大模型训练、推理和 AI 服务器建设正在消耗大量 HBM、高端 DRAM 和企业级 SSD 产能，三星、SK hynix、美光等厂商更愿意优先保障 AI 服务器客户的高利润订单。
TrendForce 的判断也指向同一方向。
2026 年 HBM 需求增长主要来自 AI ASIC 产能升级，单颗 AI 芯片搭载的 HBM 容量显著提高；即便 NVIDIA Rubin 平台单 GPU HBM 容量变化有限，出货量增长仍会继续拉动整体需求。
在 NAND 和企业级 SSD 市场，AI 需求同样正在挤压供给。
TrendForce 此前指出，生成式 AI 大规模采用推动高性能 SSD 需求显著增长，2026 年会出现明确短缺，有意义的产能扩张可能要到 2027 年底或 2028 年才出现。
这种供需错配已经反映到价格上。
TrendForce 数据显示，2026 年第一季度传统 DRAM 合约价环比上涨约 93% 至 98%，推动 DRAM 行业收入环比增长 81%，达到 970 亿美元。
到了第二季度，涨价仍未结束。
TrendForce 预计，传统 DRAM 合约价在 2026 年第二季度环比上涨 58% 至 63%，NAND Flash 合约价环比上涨 70% 至 75%，显示涨价压力已经从高端 AI 存储扩散到更广泛的存储市场。
Jefferies 还指出，中国存储厂商短期内难以成为全球市场的“价格杀手”。
长鑫存储等中国厂商并不是市场想象中的“廉价中国存储”救星，短期内难以改变全球 DRAM 和 NAND 的供需格局。
美光的最新业绩也能侧面印证存储厂商议价能力正在增强。
美光预计季度营收高于市场预期，并披露已与 16 家战略客户签署 220 亿美元存储芯片供应承诺，相关协议包含多年期安排、预付款、价格下限和 take-or-pay 条款。
美光 CEO Sanjay Mehrotra 还表示，优质存储供应紧张可能至少持续到 2027 年。这与 Jefferies 关于“2028 年前难以明显缓解”的判断方向一致，只是 Jefferies 对涨价幅度和持续时间给出了更激进的预测。
对于下游市场来说，压力会继续向 PC、手机、服务器和 SSD 产品传导。
AI 服务器优先消耗先进存储产能后，消费电子产品可获得的内存和闪存供应被压缩，终端厂商可能面临更高成本，部分产品价格、配置和交付周期都会受到影响。
更关键的是，Jefferies 这份报告指向一个行业变化，存储芯片过去典型的“涨价—扩产—跌价”周期，可能正在被 AI 需求改写。
长期协议锁定产能、厂商控制扩产节奏、AI 客户愿意支付溢价，都会让 DRAM 和 NAND 厂商获得更强定价权。
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