湖南
众所周知，美国一直卡住EUV光刻机，甚至后来连先进的浸润式DUV光刻机都卡住了。
美国的想法是简单粗暴，既然进入7nm需要EUV，且全球也就只有ASML一家能制造EUV，那么就卡住ASML，不让中国买到它，那么就进入不了7nm了吧。
但让人没有想到是，没有EUV，中国企业也突破了封测，通过DUV光刻机，一样实现了等效7nm。
这家企业就是中芯国际，其早在2024年就已经有了N+2工艺，也就是等效7nm。
当然，也有人称它是等效5nm，因为N+1是等效7nm，N+2是等效5nm，但实际上，据专业人士介绍，N+2还是等效7nm，没有达到5nm的水平。
按照实际表现来看，N+1工艺较14nm性能提升20%、功耗下降57%、面积缩减63%，其晶体管密度，是达不到台积电7nm的水平的，称不上等效7nn。
后来再升级后的N+2工艺，性能提升35%，功耗降低50%，芯片面积压缩了70%，晶体管密度，才达到了台积电7nm的水平。
并且，因为没有EUV，这种N+2是需要多重曝光的，其良率也非常低，导致成本很高，一般的芯片根本用不起，且因为良率低，所以产能也是非常有限的。
并且有分析师认为，像N+2这种工艺，实际上良率要达到40%左右，才能算是实现盈亏平衡。
如上图所示，这是机构发布的数据，刚开始时良率只有12%，甚至到了2025年底，都没有突破40%。直到2026年，才算是真正突破了40%的率良，开始盈利了。
目前，中芯的N+2工艺的产能，大约是月产能7万片（12寸晶圆）左右。
像华为的昇腾910C AI芯片，还有麒麟芯片，地平线、寒武纪等的芯片，均已稳定在中芯量产了，采用的就是N+2工艺，也就是等效的7nm。
当然，最重要的是什么，是这中芯的这个N+2工艺，其整体设备的国产化率是非常高的，有专业人士猜测，整体国产化率可能高达50%，在刻蚀、薄膜沉积核心环节国产设备导入率超60%。
所以这种N+2工艺，是基本属于自主可控的工艺，并不会因为打压而受到影响。
所以一旦良率上升，接下来的速度会非常快，再加上目前华为的韬定律，未来很大可能性，就算是没有EUV，也一样可以实现等效3nm、2nm、1.4nm这样的工艺出来。
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