北京
国家知识产权局信息显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司申请一项名为“PECVD反应腔以及PECVD镀膜及清洗方法”的专利，公开号CN122256931A，申请日期为2026年4月。
专利摘要显示，本发明公开PECVD反应腔以及PECVD成膜及清洗方法。PECVD反应腔包括内外腔、射频电源、真空模块，内腔包括内腔门、PECVD成膜模块、清洗模块、竖直并行间隔排布的加热板和射频电极板；成膜模块在收到成膜指令时控制抽真空且控制驱动门板移动至打开相应门洞的位置，并控制成膜气体进入内腔且在达到成膜压强时开启射频电源使成膜气体解离成等离子体而在硅片上沉积预设厚度的膜层；清洗模块在成膜模块持续运行第一预定时段或收到清洗指令后，控制驱动门板移动至关闭相应门洞的位置，并控制清洗气体进入内腔且在解离成等离子体后清洗沉积在内腔各内壁上的薄膜，在持续第二预定时段后控制驱动门板移动至打开相应门洞的位置，对内、外腔各内壁进行第三预定时段的清洗。
天眼查资料显示，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司，成立于2013年，位于上海市，是一家以从事专用设备制造业为主的企业。企业注册资本23512.8795万人民币。通过天眼查大数据分析，理想万里晖半导体设备（上海）股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目9次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息141条，此外企业还拥有行政许可50个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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