北京
来源：市场资讯
（来源：第三代半导体产业）
近日，杭州镓仁半导体有限公司再传捷报——基于自主研发的铸造法单晶生长技术与MOCVD同质外延工艺，镓仁半导体已向头部芯片客户成功交付全球首片6英寸（100）面氧化镓同质外延片，并实现批量稳定供货，在第四代半导体赛道上跑出令全球瞩目的中国“镓”速度。
攻克核心技术 指标领跑全球
在长晶环节，镓仁半导体采用全球独创的铸造法长晶技术，稳定生长出超厚氧化镓晶体。结合自主开发的超薄衬底加工技术，单块晶体可切割出的衬底数量提升至传统方案的3至4倍；同时大幅降低贵金属铱的用量，衬底单片成本较原来降低80%以上，有力推动了氧化镓材料的规模化应用。在外延环节，技术团队针对（100）面特点优化关键工艺参数，设计特色MOCVD外延工艺，成为全球首家且唯一一家实现6英寸氧化镓同质外延商业化供货的企业。出品的6英寸同质外延片外延层厚度大于10μm，膜厚方差小于1%，均匀性优异，为高性能器件制备提供了稳定可靠的材料基础。
图1 6英寸氧化镓同质外延片
傅立叶红外反射图谱
图2 6英寸氧化镓同质外延片
膜厚测试点位分布及对应结果
图3 6英寸氧化镓同质外延片
高分辨XRD摇摆曲线及对应点位测试结果
载流子浓度分布云图
图5 6英寸氧化镓同质外延片
C-V测试点位分布及对应结果
打通全链条 产能稳定供应
此前，氧化镓同质外延片在全球范围内长期存在尺寸小、产能低、均一性差等痛点。镓仁半导体此次不仅实现了6英寸氧化镓同质外延片的全球首片交付，更打通了“单晶—衬底—外延”的全流程稳定量产能力，建成全球首条6/8英寸氧化镓同质外延量产线，批次间品质稳定可控。目前海外多家企业和科研机构已陆续下单，多家合作客户已进行长期稳定采购。
图6 6英寸氧化镓同质外延片已实现批量供货
（右下角为镓仁2英寸外延片对比样）
从“实验室”到“量产线”，从装备设计、晶体生长到外延工艺，镓仁半导体以全链条自主创新的“中国镓”速度，持续引领全球氧化镓产业发展。
值得关注的是，6月25-27日，作为国内功率半导体领域的重要学术与产业交流平台——“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”将在上海临港凯悦酒店举办。杭州镓仁半导体有限公司将携最新产品方案亮相本次会议（展位号：S23 ），镓仁半导体联合创始人、董事江继伟将出席会议，并在“氧化镓及金刚石功率器件及集成”主题论坛上做《商用6英寸氧化镓外延片进展》的主题报告，分享国内氧化镓产业链核心环节的最新产业化突破，拆解6英寸氧化镓外延片量产落地的痛点与实践路径。敬请关注！邀请函 | 镓仁半导体邀您参加CSPSD2026功率半导体器件与集成电路会议
重要会议：为更好的推动国内功率半导体及集成电路学术及产业交流，在第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA)指导下，中国科学院上海微系统与信息技术研究所、极智半导体产业网和第三代半导体产业将于2026年6月25-27日在上海联合主办，“2026功率半导体器件与集成电路会议（CSPSD 2026)”。CSPSD2026作为国内功率半导体领域的重要学术与产业交流平台，会议设置“开幕大会+主题论坛+展览展示+参观考察+益企跑”等形式，会议嘉宾阵容涵盖“产学研用”在内国家级科研院所专家、高校科研团队、头部企业领袖三大核心群体，报告议题更是覆盖从“基础研究 - 技术突破 - 产业应用 - 未来趋势” 的全方位交流体系，全力推动功率半导体与集成电路领域的技术革新、学术交流与产业协同发展，为我国半导体产业高质量创新升级赋能助力。点击→
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