北京
国家知识产权局信息显示，株洲中车时代半导体股份有限公司取得一项名为“碳化硅MPS二极管的元胞结构及碳化硅MPS二极管”的专利，授权公告号CN224401990U，申请日期为2025年6月。
专利摘要显示，本申请涉及半导体领域，公开了一种碳化硅MPS二极管的元胞结构及碳化硅MPS二极管，包括：碳化硅衬底；碳化硅外延层，位于碳化硅衬底上；多个元胞，位于碳化硅外延层上；每个元胞在碳化硅外延层上的投影区域的外轮廓为正六边形；多个元胞包括第一元胞、第二元胞和第三元胞中的至少两种；第一元胞的肖特基结区域与第一PN结区域的边界线为圆形，与第二PN结区域的边界线为正六变形；第二元胞的肖特基结区域与第一PN结区域的边界线为正六变形，与第二PN结区域的边界线为圆形；第三元胞的肖特基结区域与第一PN结区域和第二PN结区域的边界线均为圆形。提升了抗浪涌能力，解决了浪涌发生时阳极金属容易融化失效的问题。
天眼查资料显示，株洲中车时代半导体股份有限公司，成立于2019年，位于株洲市，是一家以从事非金属矿物制品业为主的企业。企业注册资本564763.3598万人民币。通过天眼查大数据分析，株洲中车时代半导体股份有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目4996次，专利信息646条，此外企业还拥有行政许可146个。
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本文源自：市场资讯
作者：情报员
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