北京
分享至
国家知识产权局信息显示，索尼半导体解决方案公司申请一项名为“光电检测装置及光电检测装置的制造方法”的专利，公开号CN122181205A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本公开提供了一种能够抑制性能劣化的光电检测装置及该光电检测装置的制造方法。该光电检测装置包括：半导体基板，其具有第一面和位于第一面的相反侧的第二面；多个像素，其设置于半导体基板并且具有光电转换元件；以及像素间隔离部，其设置于半导体基板，并且将多个像素中的一个像素与另一相邻像素隔离。该像素间隔离部具有向半导体基板的第一面侧开口的沟槽和埋入在沟槽中的埋入膜。该埋入膜包括：第一部；第二部，其位于第一部与第一面之间，并且其在与第一面平行的第一方向上的线宽比第一部的线宽更宽；和第三部，其位于第二部与所述第一面之间，并且其在所述第一方向上的线宽比所述第二部的线宽更宽。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
本文源自：市场资讯
作者：情报员
特别声明：以上内容(如有图片或视频亦包括在内)为自媒体平台“网易号”用户上传并发布，本平台仅提供信息存储服务。
Notice: The content above (including the pictures and videos if any) is uploaded and posted by a user of NetEase Hao, which is a social media platform and only provides information storage services.
